emd2 / umd2n / imd2a
晶体管
rev.一个 1/3
一般 目的
(双 数字的 晶体管)
emd2 / umd2n / imd2a
z
特性
z
外部 维度
(单位 : mm)
1) 两个都 这 dta124e 碎片 和 dtc124e 碎片 在 一个 emt
或者 umt 或者 smt 包装.
2) 挂载 可能 和 emt6 或者 umt6 或者 smt6
自动 挂载 machines.
3) 晶体管 elements 是 独立, eliminating
干扰.
4) 挂载 费用 和 范围 能 是 截 在 half.
z
结构
外延的 planar 类型
npn / pnp 硅 晶体管 (建造-在 电阻 类型)
这 下列的 特性 应用 至 两个都 这 dtr
1
和
DTr
2
, 不管怎样, 这 “
−
” sign 在 dtr
2
值 为 这 pnp
类型 有 被 omitted.
z
相等的 电路
emd2 / umd2n IMD2A
DTr
2
DTr
1
(3) (2) (1)
(3) (2) (1)
(4) (5) (6)
(4) (5) (6)
R
1
R
2
R
2
R
1
DTr
2
DTr
1
R
1
R
2
R
2
R
1
R
2
=22k
Ω
R
1
=22k
Ω
R
2
=22k
Ω
R
1
=22k
Ω
z
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
rohm : emt6
EMD2
rohm : umt6
eiaj : sc-88
UMD2N
abbreviated 标识 : d2
abbreviated 标识 : d2
abbreviated 标识 : d2
rohm : smt6
eiaj : sc-74
IMD2A
各自 含铅的 有 一样 维度
各自 含铅的 有 一样 维度
各自 含铅的 有 一样 维度
0to0.1
(
6
)
2.0
1.3
0.9
0.15
0.7
0.1min.
2.1
0.65
0.2
1.25
(
1
)
0.65
(
4
)
(
3
)
(
2
)
(
5
)
(
6
)
(
5
)
(
4
)
0.3to0.6
0.15
0.3
1.1
0.8
0to0.1
(
3
)
2.8
1.6
1.9
2.9
0.95
(
2
)
0.95
(
1
)
0.22
1.2
1.6
(
1
)
(
2
)(
5
)
(
3
)
(
6
)
(
4
)
0.13
0.5
0.5
0.5
1.0
1.6
参数 标识
限制
单位
V
CC
50 V
40
V
V
在
−
10
I
O
30
毫安
I
c (最大值.)
100
Tj 150 ˚C
Tstg
−
55 至
+
150 ˚C
Pd
emd2, umd2n
150 (总的)
mW
IMD2A
300 (总的)
∗
1
∗
2
供应 电压
输入 电压
输出 电流
接合面 温度
存储 温度
电源
消耗
∗
1 120mw 每 元素 必须 不 是 超过.
∗
2 200mw 每 元素 必须 不 是 超过.
: 点此下载
