umt3904 / sst3904 / mmst3904 / 2n3904
晶体管
npn 一般 目的 晶体管
umt3904 / sst3904 / mmst3904 / 2n3904
!
!!
!
特性
1) bv
CEO
>
40v (i
C
= 1ma)
2) complements 这 umt3906 / sst3906 / mmst3906
/ 2n3906.
!
!!
!
包装, 标记 和 包装 规格
部分 非.
包装 类型
标记
代号
基本 订货 单位
(片)
UMT3904
UMT3
R1A
T106
3000
SST3904
SST3
R1A
T116
3000
MMST3904
SMT3
R1A
T146
3000
至-92
-
T93
3000
2N3904
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
2N3904
参数
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级
电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Tj
Tstg
限制
60
40
6
0.2
0.35
150
−
55~+150
单位
V
V
V
一个
W
W
W
P
C
0.2
0.625
*
°
C
°
C
*
当 挂载 在 一个 7 x 5 x 0.6 mm 陶瓷的 板.
sst3904, mmst3904
umt3904,
sst3904,
MMST3904
!
!!
!
外部 维度
(单位 : mm)
UMT3904
SST3904
MMST3904
2N3904
0~0.1
0.2min.
2.4
±
0.2
1.3
0.95
0.45±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95
0.95
+
0.2
−
0.1
−
0.1
+0.2
+0.1
−
0.06
+0.1
−
0.05
(2)
(1)
(3)
0~0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3
~
0.6
1.1
0.8±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95
0.95
+
0.2
−
0.1
−
0.1
+0.2
+0.1
−
0.06
+0.1
−
0.05
(2)
(1)
(3)
0~0.1
(2)(1)
(3)
0.1
~
0.4
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
0.15±0.05
0.3
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
+0.1
−
0
4.8
±
0.2
(12.7min.)
4.8
±
0.2
3.7
±
0.2
5
0.45
±
0.1
2.3
0.5
+
0.15
−
0.05
2.5
+
0.3
−
0.1
(1)
(2) (3)
所有 terminals 有 一样 维度
所有 terminals 有 一样 维度
所有 terminals 有 一样 维度
rohm : umt3
eiaj : sc-70
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
rohm : sst3
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
rohm : smt3
eiaj : sc-59
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
rohm : 至-92
eiaj : sc-43
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
2.5min.
!
!!
!
电的 特性
(ta = 25
°
c)
参数
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
集电级-根基 损坏 电压
集电级-发射级 损坏 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
EBO
60
40
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
50
V
V
V
nA
nA
I
C
= 10
µ
一个
I
C
= 1ma
I
E
= 10
µ
一个
V
CB
= 30v
V
EB
= 3v
- - 0.95
根基-发射级 饱和 电压 V
是(sat)
0.65 - 0.85
V
- - 0.3 I
C
/i
B
= 50ma/5ma
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
- - 0.2
V
I
C
/i
B
= 10ma/1ma
I
C
/i
B
= 50ma/5ma
I
C
/i
B
= 10ma/1ma
30 - -
60 - -
直流 电流 转移 比率 h
FE
100 - 300 -
70 - -
40 - - V
CE
= 1v , i
C
= 0.1ma
V
CE
= 1v , i
C
= 1ma
V
CE
= 1v , i
C
= 10ma
V
CE
= 1v , i
C
= 50ma
V
CE
= 1v , i
C
= 100ma
转变 频率
集电级 输出 电容
f
T
Cob
300
-
-
-
-
4
MHz
pF
V
CE
= 20v , i
E
=
−
10ma, f = 100mhz
V
CB
= 10v , f = 100khz
发射级 输入 电容 Cib - - 8 pF
V
EB
= 0.5v , f = 100khz
延迟 时间 td - - 35 ns
V
CC
= 3v , v
是(止)
= 0.5v , i
C
= 10ma , i
B1
= 1ma
V
CC
= 3v , v
是(止)
= 0.5v , i
C
= 10ma , i
B1
= 1ma
上升 时间 tr - - 35 ns
存储 时间 tstg - - 200 ns
V
CC
= 3v , i
C
= 10ma , i
B1
=
−
I
B2
= 1ma
V
CC
= 3v , i
C
= 10ma , i
B1
=
−
I
B2
= 1ma
下降 时间 tf - - 50 ns
~
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