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©
1999
mos 地方 效应 晶体管
µ
µµ
µ
PA1770
切换
双 p-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
数据 薄板
文档 非. g14055ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 十一月 1999 ns cp(k)
打印 在 日本
这 mark
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★★
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描述
这
µ
pa1770 是 一个 p-频道 mos 地方 效应
晶体管 设计 为 电源 管理
产品 的 可携带的 machines.
特性
•
双 碎片 类型
•
低 在-阻抗
R
ds(在)1
= 37 m
Ω
最大值 (v
GS
= –4.5 v, i
D
= –3.0
一个)
R
ds(在)2
= 39 m
Ω
最大值 (v
GS
= –4.0 v, i
D
= –3.0
一个)
R
ds(在)3
= 59 m
Ω
最大值 (v
GS
= –2.5 v, i
D
= –3.0
一个)
•
低 输入 电容
C
iss
= 1300 pf 典型值
•
建造-在 g-s 保护 二极管
•
小 和 表面 挂载 包装 (电源 sop8)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c, 所有 terminals 是 连接.)
流 至 源 电压 V
DSS
–20 V
门 至 源 电压 V
GSS
!
12
V
流 电流 (直流) I
d(直流)
!
6.0
一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
!
24
一个
总的 电源 消耗 (1 单位)
Note2
P
T
0.40 W
总的 电源 消耗 (2 单位)
Note2
P
T
0.75 W
总的 电源 消耗 (1 单位)
Note3
P
T
1.7 W
总的 电源 消耗 (2 单位)
Note3
P
T
2.0 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 °C
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1
%
2.
挂载 在 fr4 板 的 1600
mm
2
x 1.6
mm, 流 垫子 大小 : 4.5
mm
2
x 35
µ
m, t
一个
= 25°c
3.
挂载 在 陶瓷的 基质 的 1200
mm
2
x 2.2
mm, t
一个
= 25°c
订货 信息
部分 号码 包装
µ
PA1770G 电源 sop8
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