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资料编号:6843
 
资料名称:2SC4093-T1
 
文件大小: 70.01K
   
说明
 
介绍:
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板
硅 晶体管
2SC4093
微波 低 噪音 放大器
npn 硅 外延的 晶体管
4 管脚 迷你 模型
数据 薄板
文档 非. p10365ej3v1ds00 (3rd 版本)
日期 发行 march 1997 n
打印 在 日本
1991©
描述
这 2sc4093 是 一个 npn 硅 外延的 晶体管 设计 为 低
噪音 放大器 在 vhf, uhf 和 catv 带宽.
它 有 大 动态 范围 和 好的 电流 characteritics, 和 是
contatined 在 一个 4 管脚 迷你-模型 包装 这个 使能 高-分开
增益.
特性
低 噪音
nf = 1.1 db 典型值 @ v
CE
= 10 v, i
C
= 7 毫安, f = 1.0 ghz
高 电源 增益
S
21e
2
= 13 db 典型值 @ v
CE
= 10 v, i
C
= 20 毫安, f = 1.0 ghz
订货 信息
部分
号码
QUANTITY 包装 样式
2sc4093-t1 3 kpcs/卷轴. 压印浮凸 录音带 8 mm 宽.
pin3 (根基), pin4 (发射级) 面向 至 perforation 一侧
的 这 录音带.
2sc4093-t2 3 kpcs/卷轴. 压印浮凸 录音带 8 mm 宽.
pin1 (集电级), pin2 (发射级) 面向 至 perforation
一侧 的 这 录音带.
* 请 联系 和 有责任 nec person, 如果 你 需要 evaluation
样本.
单位 样本 quantity 将要 是 50 pcs. (部分 非.: 2sc4093)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c)
集电级 至 根基 电压 V
CBO
20 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
12 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
3.0 V
集电级 电流 I
C
100 毫安
总的 电源 消耗 P
T
200 mW
接合面 温度 T
j
150
C
存储 温度 T
stg
65 至 +150
C
包装 维度
(单位: mm)
管脚 连接
1.
2.
3.
4.
集电级
发射级
根基
发射级
5
°
5
°
5
°
5
°
0 至 0.1
0.8
2.9±0.2
(1.8)
(1.9)
0.950.85
1.1
+0.2
0.1
0.16
+0.1
0.06
0.4
4
1
3
2
+0.1
0.05
2.8
+0.2
0.3
1.5
+0.2
0.1
0.6
+0.1
0.05
0.4
+0.1
0.05
0.4
+0.1
0.05
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