M25P40-VMN6T_集成电路资料查询网

1/35june 2003
M25P40
4 mbit, 低 电压, 串行 flash 记忆
和 25 mhz spi 总线 接口
特性 summary
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4 mbit 的 flash 记忆
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页 程序 (向上 至 256 字节) 在 1.5ms
(典型)
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sector 擦掉 (512 kbit) 在 2 s (典型)
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大(量) 擦掉 (4 mbit) 在 5 s (典型)
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2.7 v 至 3.6 v 单独的 供应 电压
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spi 总线 兼容 串行 接口
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25 mhz 时钟 比率 (最大)
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深的 电源-向下 模式 1
µ
一个 (典型)
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电子的 signature (12h)
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更多 比 100,000 擦掉/程序 循环 每
Sector
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更多 比 20 年 数据 保持
图示 1. 包装
so8 (mn)
150 mil 宽度
8
1
vfqfpn8 (mp)
(mlp8)

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1/35june 2003 M25P40 4 mbit, 低电压, 串行 flash 记忆和 25 mhz spi 总线接口特性 summary ■ 4 mbit 的 flash 记忆 ■ 页程序 (向上至 256 字节) 在 1.5ms (典型) ■ sector 擦掉 (512 kbit) 在 2 s (典型) ■ 大(量) 擦掉 (4 mbit) 在 5 s (典型) ■ 2.7 v 至 3.6 v 单独的供应电压 ■ spi 总线兼容串行接口 ■ 25 mhz 时钟比率 (最大) ■ 深的电源-向下模式 1 µ 一个 (典型) ■ 电子的 signature (12h) ■ 更多比 100,000 擦掉/程序循环每 Sector ■ 更多比 20 年数据保持图示 1. 包装 so8 (mn) 150 mil 宽度 8 1 vfqfpn8 (mp) (mlp8)

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