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VNP35N07FI
vnb35n07/vnv35n07
”omnifet”:
全部地 AUTOPROTECTED 电源 场效应晶体管
六月 1998
块 图解 (
∗
)
类型 V
clamp
R
ds(在)
I
lim
VNP35N07FI
VNB35N07
VNV35N07
70 V
70 V
70 V
0.028
Ω
0.028
Ω
0.028
Ω
35 一个
35 一个
35 一个
■
直线的 电流 限制
■
热的 SHUT 向下
■
短的 电路 保护
■
整体的 CLAMP
■
低 电流 描绘 从 输入 管脚
■
DIAGNOSTIC 反馈 通过 输入
管脚
■
静电释放 保护
■
直接 进入 至 这 门 的 这
电源 场效应晶体管 (相似物 驱动)
■
兼容 和 标准 电源
场效应晶体管
描述
这 vnp35n07fi, VNB35N07 和 VNV35N07
是 大而单一的 设备 制造 使用
意法半导体 VIPower M0 技术,
将 为 替换 的 标准 电源
MOSFETS 在 直流 至 50 KHz 产品. 建造-在
热的 shut-向下, 直线的 电流 限制 和
超（电）压 clamp 保护 这 碎片 在 harsh
enviroments.
故障 反馈 能 是 发现 用 monitoring 这
电压 在 这 输入 管脚.
1
10
powerso-10
1
2
3
1
3
D2PAK
至-263
ISOWATT220
(
∗
) powerso-10 管脚 配置 : 输入 = 6,7,8,9,10; 源 = 1,2,4,5; 流 = TAB
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VNP35N07FI vnb35n07/vnv35n07 ”omnifet”: 全部地 AUTOPROTECTED 电源场效应晶体管六月 1998 块图解 ( ∗ ) 类型 V clamp R ds(在) I lim VNP35N07FI VNB35N07 VNV35N07 70 V 70 V 70 V 0.028 Ω 0.028 Ω 0.028 Ω 35 一个 35 一个 35 一个 ■ 直线的电流限制 ■ 热的 SHUT 向下 ■ 短的电路保护 ■ 整体的 CLAMP ■ 低电流描绘从输入管脚 ■ DIAGNOSTIC 反馈通过输入管脚 ■ 静电释放保护 ■ 直接进入至这门的这电源场效应晶体管 (相似物驱动) ■ 兼容和标准电源场效应晶体管描述这 vnp35n07fi, VNB35N07 和 VNV35N07 是大而单一的设备制造使用意法半导体 VIPower M0 技术, 将为替换的标准电源 MOSFETS 在直流至 50 KHz 产品. 建造-在热的 shut-向下, 直线的电流限制和超（电）压 clamp 保护这碎片在 harsh enviroments. 故障反馈能是发现用 monitoring 这电压在这输入管脚. 1 10 powerso-10 1 2 3 1 3 D2PAK 至-263 ISOWATT220 ( ∗ ) powerso-10 管脚配置 : 输入 = 6,7,8,9,10; 源 = 1,2,4,5; 流 = TAB  1/13

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