july 2003 1/16
®
VNQ660SP
四方形 频道 高 一侧 固体的 状态 接转
(*) 每 各自 频道
■
输出 电流 每 频道: 6a
■
cmos 兼容 输入
■
打开 加载 发现 (止 状态)
■
欠压 &放大; 超（电）压
n
shut- 向下
■
超（电）压 clamp
■
热的 shut-向下
■
电流 限制
■
非常 低 保卫-用 电源 消耗
■
保护 相反:
n
丧失 的 地面 &放大; 丧失 的 v
CC
■
反转 电池 保护 (**)
描述
这 vnq660sp 是 一个 大而单一的 设备 制造 用
使用| 意法半导体 vipower m0-3
技术, 将 为 驱动 resistive 或者
inductive 负载 和 一个 一侧 连接 至 地面.
这个 设备 有 四 独立 途径. 建造-
在 热的 shut 向下 和 输出 电流 限制
保护 这 碎片 从 在 温度 和 短的
电路.
类型 R
ds(在)
I
输出
V
CC
VNQ660SP 50m
Ω
(*) 6A 36 v
绝对 最大 比率
(**) 看 应用 图式 在 页 8
标识 参数 值 单位
V
CC
供应 电压 (持续的) 41 V
-v
CC
反转 供应 电压 (持续的) -0.3 V
I
输出
输出 电流 (持续的), 每 各自 频道 内部 限制 一个
I
R
反转 输出 电流 (持续的), 每 各自 频道 -15 一个
I
在
输入 电流 +/- 10 毫安
I
STAT
状态 电流 +/- 10 毫安
I
地
地面 电流 在 t
C
<25
°
c (持续的) -200 毫安
V
静电释放
静电的 释放 (人 身体 模型: r=1.5k
Ω;
c=100pf)
- 输入
- 状态
- 输出
- v
CC
4000
4000
5000
5000
V
V
V
V
P
tot
电源 消耗 在 t
C
=25
°
c113.6w
T
j
接合面 运行 温度 -40 至 150
°
C
T
stg
存储 温度 -65 至 150
°
C
E
C
非 repetitive 夹紧 活力 在 t
C
=25
°
C150mJ
powerso-10
™
1
10
顺序 代号
包装 TUBE t&放大;r
powerso-10
™
VNQ660SP VNQ660SP13TR
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