W29C040
512K
×
8 cmos flash 记忆
发行 释放 日期: 将 1999
-1- Revision a5
一般 描述
这 w29c040 是 一个 4-megabit, 5-volt 仅有的 cmos 页 模式 可擦可编程只读存储器 有组织的 作 512k
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8 位.
这 设备 能 是 写 (erased 和 编写程序) 在-系统 和 一个 标准 5v 电源 供应. 一个
12-volt vPP是 不 必需的. 这 唯一的 cell architecture 的 这 w29c040 结果 在 快 写 (擦掉/
程序) 行动 和 极其 低 电流 消耗量 对照的 至 其它 comparable 5-volt
flash 记忆 产品. 这 设备 能 也 是 写 (erased 和 编写程序) 用 使用 标准
非易失存储器 programmers.
特性
•
单独的 5-volt 写 (擦掉 和 程序)
行动
•
快 页-写 行动
−
256 字节 每 页
−
页 写 (擦掉/程序)循环: 5 ms
(典型值.)
−
有效的 字节-写 (擦掉/程序) 循环
时间: 19.5
µ
S
−
optional 软件-保护 数据 写
•
快 碎片-擦掉 运作: 50 ms
•
二 16 kb 激励 blocks 和 lockout
•
典型 页 写 (擦掉/程序) 循环:
1k/10k (典型值.)
•
读 进入 时间: 90/120 ns
•
ten-年 数据 保持
•
软件 和 硬件 数据 保护
•
低 电源 消耗量
−
起作用的 电流: 25 毫安 (典型值.)
−
备用物品 电流: 20
µ
一个 (典型值.)
•
自动 写 (擦掉/程序) 定时 和
内部的 vPP一代
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终止 的 写 (擦掉/程序) 发现
−
toggle 位
−
数据 polling
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latched 地址 和 数据
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所有 输入 和 输出 直接地 ttl 兼容
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电子元件工业联合会 标准 字节-宽 pinouts
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有 包装: tsop 和 plcc