1/25june 2001
M29W400BT
M29W400BB
4 Mbit (512kb x8 或者 256Kb x16, 激励 块)
低 电压 单独的 供应 Flash 记忆
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单独的 2.7 至 3.6v 供应 电压 为
程序, 擦掉 和 读 行动
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进入 时间: 55ns
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程序编制 时间
– 10µs 每 字节/文字 典型
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11 记忆 BLOCKS
– 1 激励 块 (顶 或者 Bottom location)
– 2Parameterand8MainBlocks
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程序/擦掉 控制
– Embedded 字节/文字 程序 algorithm
– Embedded multi-块/碎片 擦掉 algorithm
– 状态 寄存器 Polling 和 Toggle 位
– 准备好/busy 输出 管脚
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擦掉 SUSPEND 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 Suspend
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UNLOCK 绕过 程序 COMMAND
– Faster 生产/批 程序编制
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TEMPORARY 块 UNPROTECTION
模式
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低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
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100,000 程序/擦掉 循环 每
块
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20 年 数据 保持
– Defectivity 在下 1 ppm/年
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电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 0020h
– 顶 设备 代号 m29w400bt: 00EEh
– Bottom 设备 代号 m29w400bb: 00EFh
图示 1. 逻辑 图解
AI02934
18
a0-a17
W
dq0-dq14
V
CC
M29W400BT
M29W400BB
E
V
SS
15
G
RP
DQ15A–1
字节
RB
44
1
TSOP48 (n)
12 x 20mm
SO44 (m)
TFBGA48 (za)
6 x 8 球 排列
FBGA
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