1/4912月 2004
M29W640DT
M29W640DB
64 mbit (8mb x8 或者 4mb x16, 激励 块)
3v 供应 flash 记忆
特性 summary
■
供应 电压
–V
CC
=
2.7v 至 3.6v 为 程序, 擦掉,
读
–V
PP
=12 v 为 快 程序 (optional)
■
进入 时间: 90 ns
■
程序编制 时间
– 10 µs 每 字节/文字 典型
– 翻倍 文字 程序编制 选项
■
135 记忆 blocks
– 1 激励 块 和 7 参数 blocks,
8 kbytes 各自 (顶 或者 bottom location)
– 127 主要的 blocks, 64 kbytes 各自
■
程序/擦掉 控制
– embedded 字节/文字 程序
algorithms
■
擦掉 suspend 和 重新开始 模式
– 读 和 程序 另一 块 在
擦掉 suspend
■
unlock 绕过 程序 command
– faster 生产/批 程序编制
■
V
PP
/wp管脚 为 快 程序 和 写
保护
■
temporary 块 unprotection
模式
■
一般 flash 接口
– 64-位 安全 代号
■
扩展 记忆 块
– extra 块 使用 作 安全 块 或者 至
store 额外的 信息
■
低 电源 消耗量
– 备用物品 和 自动 备用物品
■
100,000 程序/擦掉 循环 每
块
■
电子的 signature
– 生产者 代号: 0020h
– 顶 设备 代号 m29w640dt: 22deh
– bottom 设备 代号 m29w640db:
22DFh
图示 1. 包装
tsop48 (n)
12 x 20mm
tfbga63 (za)
63 球 排列
FBGA