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composite 晶体管
XN4211
硅 npn 外延的 planer 晶体管
为 切换/数字的 电路
■
特性
●
二 elements 组成公司的 在 一个 包装.
(晶体管 和 建造-在 电阻)
●
减少 的 这 挂载 范围 和 组装 费用 用 一个 half.
■
基本 部分 号码 的 元素
●
UN1211
×
2 elements
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
1 : 集电级 (tr1) 4 : 集电级 (tr2)
2 : 根基 (tr2) 5 : 根基 (tr1)
3 : 发射级 (tr2) 6 : 发射级 (tr1)
eiaj : sc–74
迷你 类型 包装 (6–pin)
单位: mm
标记 标识:
9V
内部的 连接
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压
V
CBO
50 V
集电级 至 发射级 电压
V
CEO
50 V
集电级 电流 I
C
100 毫安
总的 电源 消耗
P
T
300 mW
接合面 温度
T
j
150 ˚C
存储 温度
T
stg
–55 至 +150 ˚C
比率
的
元素
整体的
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 50 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= 2ma, i
B
= 0 50 V
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
= 50v, i
E
= 0 0.1
µ
一个
I
CEO
V
CE
= 50v, i
B
= 0 0.5
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
= 6v, i
C
= 0 0.5 毫安
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= 10v, i
C
= 5ma 35
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 10ma, i
B
= 0.3ma 0.09 0.25 V
输出 电压 高 水平的 V
OH
V
CC
= 5v, v
B
= 0.5v, r
L
= 1k
Ω
4.9 V
输出 电压 低 水平的 V
OL
V
CC
= 5v, v
B
= 2.5v, r
L
= 1k
Ω
0.2 V
转变 频率 f
T
V
CB
= 10v, i
E
= –2ma, f = 200mhz 150 MHz
输入 阻抗 R
1
–30% 10 +30% k
Ω
阻抗 比率 R
1
/r
2
0.8 1.0 1.2
2.8
+0.2
–0.3
1.50.65
±
0.15 0.65
±
0.15
1
6
5
4
3
2
1.45
±
0.1
0.95 0.95
1.9
±
0.1
+0.25
–0.05
0.3
+0.1
–0.05
0.5
+0.1
–0.05
2.9
+0.2
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.1 至 0.3
6
Tr2
Tr1
5
43
2
1
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