ZXMC3A16DN8TC_集成电路资料查询网

SUMMARY
n-频道 V
(br)dss
= 30v; R
ds(在)
= 0.035 ;i
D
= 6.4a
p-频道 V
(br)dss
= -30v; R
ds(在)
= 0.048 ;i
D
= -5.4a
描述
这个 新 一代 的 trench MOSFETs 从 Zetex 运用 一个 唯一的 结构
那 结合 这 益处 的 低 在-阻抗 和 快 切换 速. 这个
制造 它们 完美的 为 高 效率, 低 电压, 电源 管理
产品.
特性
•
低 在-阻抗
•
快 切换 速
•
低 门槛
•
低 门 驱动
•
低 profile SOIC 包装
产品
•
发动机 驱动
•
lcd backlighting
设备 标记
ZXMC
3A16
ZXMC3A16DN8
provisional 公布 f - july 2004
1
complementary 30v 增强 模式 场效应晶体管
设备 卷轴 录音带
宽度
QUANTITY
每 卷轴
ZXMC3A16DN8TA 7
’‘
12mm 500 单位
ZXMC3A16DN8TC 13’‘ 12mm 2500 单位
订货 信息
q2 = p-channelq1 = n-频道
SO8
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引脚

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SUMMARY n-频道 V (br)dss = 30v; R ds(在) = 0.035 ;i D = 6.4a p-频道 V (br)dss = -30v; R ds(在) = 0.048 ;i D = -5.4a 描述这个新一代的 trench MOSFETs 从 Zetex 运用一个唯一的结构那结合这益处的低在-阻抗和快切换速. 这个制造它们完美的为高效率, 低电压, 电源管理产品. 特性 • 低在-阻抗 • 快切换速 • 低门槛 • 低门驱动 • 低 profile SOIC 包装产品 • 发动机驱动 • lcd backlighting 设备标记 ZXMC 3A16 ZXMC3A16DN8 provisional 公布 f - july 2004 1 complementary 30v 增强模式场效应晶体管设备卷轴录音带宽度 QUANTITY 每卷轴 ZXMC3A16DN8TA 7 ’‘ 12mm 500 单位 ZXMC3A16DN8TC 13’‘ 12mm 2500 单位订货信息 q2 = p-channelq1 = n-频道 SO8 顶视图引脚

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