rev. B
一个
信息 陈设 用 相似物 设备 是 相信 至 是 精确 和
可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 相似物 设备 为 它的
使用, 也不 为 任何 infringements 的 专利权 或者 其它 权利 的 第三 部 那
将 结果 从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则
下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 相似物 设备.
一个 技术 方法, p.o. 盒 9106, norwood, 毫安 02062-9106, 美国
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传真: 781/326-8703 © 相似物 设备, inc., 2002
ADN2850
*
nonvolatile 记忆, 双
1024-位置 可编程序的 电阻器
函数的 块 图解
地址
DECODE
ADN2850
RDAC1
串行
接口
CS
CLK
SDI
SDO
PR
WP
RDY
V
DD
V
SS
地
RDAC1
寄存器
EEMEM1
RDAC2
寄存器
EEMEM2
26 字节
用户 eemem
pwr 在
PRESET
EEMEM
控制
W1
B1
RDAC2
W2
B2
电流
监控
I
1
I
2
V
1
V
2
代号 – decimal
100
75
0
0 1023256
R
WB
(d) – % 的 全部-规模 r
WB
512 768
50
25
图示 1. R
WB
(d) vs. decimal 代号
特性
双, 1024-位置 决议
25 k
, 250 k
全部-规模 阻抗
低 温度 系数: 35 ppm/
C
nonvolatile 记忆
1
preset 维持 wiper settings
永久的 记忆 写-保护
wiper settings 读 后面的
真实的 容忍 贮存 在 eemem
1
直线的 increment/decrement
log taper increment/decrement
spi 兼容 串行 接口
3 v 至 5 v 单独的 供应 或者
2.5 v 双 供应
26 字节 用户 nonvolatile 记忆 为 常量 存储
电流 monitoring configurable 函数
100-年 典型 数据 保持 t
一个
= 55
C
产品
sonet, sdh, atm, gigabit ethernet, dwdm 激光器
二极管 驱动器 视力的 supervisory 系统
一般 描述
这 adn2850 提供 双-频道, digitally 控制 程序-
mable电阻器
2
和 决议 的 1024 positions. 这些 设备
执行 这 一样 电子的 调整 函数 作 一个 机械的
rheostat 和 增强 决议, 固体的-状态 可靠性, 和
更好的 低 温度 系数 效能. 这 adn2850’s
多功能的 程序编制 通过 一个 标准 串行 接口 准许
16 模式 的 运作 和 调整, 包含 scratch 垫子 pro-
gramming, 记忆 storing 和 retrieving, increment/decrement,
log taper 调整, wiper 设置 readback, 和 extra 用户
定义 eemem
1
.
另一 关键 特性 的 这 adn2850 是 那 这 真实的 容忍
是 贮存 在 这 eemem.这真实的 全部-规模 阻抗 能
因此 是 知道, 这个 是 valuable 为 容忍 相一致
和 校准.
在 这 scratch 垫子 程序编制 模式, 一个 明确的 设置 能 是
编写程序 直接地 至 这 rdac
2
寄存器, 这个 sets 这 resis-
tance在 terminals w 和 b. 这 rdac 寄存器 能 也
是 承载 和 一个 值 先前 贮存 在 这 eemem 寄存器.
这 值 在 这 eemem 能 是 changed 或者 保护. 当
改变 是 制造 至 这 rdac 寄存器, 这 值 的 这 新
设置 能 是 saved 在 这 eemem. thereafter, 此类 值 将
是 transferred automatically 至 这 rdac 寄存器 在 系统
电源 在, 这个 是 使能 用 这 内部的 preset strobe.
eemem 能 也 是 retrieved 通过 直接 程序编制 和
外部 preset 管脚 控制.
这 直线的 步伐 increment 和 decrement commands 使能 这
设置 在 这 rdac 寄存器 至 是 moved 向上 或者 向下, 一个 步伐
在 一个 时间. 为 logarithmic 改变 在 wiper 设置, 一个 left/正确的
位 变换 command adjusts 这 水平的 在
±
6 db 步伐.
这 adn2850 是 有 在 这 5 mm
5 mm 16-含铅的 框架 碎片
规模 lfcsp 和 薄的 16-含铅的 tssop 包装. 所有 部分 是
有保证的 至 运作 在 这 扩展 工业的 温度
范围 的 –40
°
c 至 +85
°
c.
*
专利权 pending
注释
1
这 期 nonvolatile 记忆 和 eemem 是 使用 interchangeably.
2
这 期 可编程序的 电阻 和 rdac 是 使用 interchangeably.
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