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资料编号:791647
 
资料名称:2SC4570-T1
 
文件大小: 66K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
 
 


: 点此下载
 
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数据 薄板
硅 晶体管
2SC4570
npn 硅 外延的 晶体管
超级的 迷你 模型
数据 薄板
文档 非. p10408ej2v0ds00 (2nd 版本)
(previous 非. tc-2434)
日期 发行 march 1997 n
打印 在 日本
1993©
描述
这 2sc4570 是 一个 低 供应 电压 晶体管 设计 为 uhf
osc/混合.
它 是 合适的 为 一个 高 密度 表面 挂载 组装 自从 这
晶体管 有 被 应用 超级的 迷你 模型 包装.
特性
高 f
T
: 5.5 ghz 典型值 (@ v
CE
= 5 v, i
C
= 5 毫安, f = 1 ghz)
低 c
ob
: 0.7 pf 典型值 (@ v
CB
= 5 v, i
E
= 0, f = 1 mhz)
超级的 迷你 模型 包装. (eiaj : sc-70)
订货 信息
部分
号码
QUANTITY 包装 样式
2sc4570-t1 3 kpcs./卷轴 压印浮凸 录音带 8 mm 宽. 管脚 3 (集电级) 面向
至 perforation 一侧 的 这 录音带.
2sc4570-t2 3 kpcs./卷轴 压印浮凸 录音带 8 mm 宽. 管脚 1 (发射级), 管脚 2
(根基) 面向 至 perforation 一侧 的 这 录音带.
* 请 联系 和 有责任 nec person, 如果 你 需要 evaluation
样本. 单位 样本 quantity 将要 是 50 pcs. (部分 非.: 2sc4570)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c)
集电级 至 根基 电压 V
CBO
20 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
12 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
3V
集电级 电流 I
C
30 毫安
总的 电源 消耗 P
T
120 mW
接合面 温度 T
j
125
C
存储 温度 T
stg
55 至 +125
C
包装 维度
(单位: mm)
1.25±0.1
2
1
3
标记
管脚 连接
1.
2.
3.
发射级
根基
集电级
2.1±0.1
2.0±0.20.9±0.1
0 至 0.1
0.650.3 0.65
0.3
+0.1
0
0.3
+0.1
0
0.15
+0.1
0.05
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