数据手册
Publication#
26518
rev:
B
amendment/
0
公布 日期:
将 16, 2003
谈及 至 amd’s 网站 (www.amd.com) 为 这 最新的 信息.
这个 数据 薄板 states amd’s 电流 技术的 规格 关于 这 产品 描述 在此处. 这个 数据
薄板 将 是 修订 用 subsequent 版本 或者 修改 预定的 至 改变 在 技术的 规格.
am29lv320mt/b
32 megabit (2 m x 16-位/4 m x 8-位) mirrorbit
3.0 volt-仅有的 激励 Sector flash 记忆
distinctive 特性
architectural 有利因素
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单独的 电源 供应 运作
— 3 v 为 读, 擦掉, 和 程序 行动
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制造的 在 0.23 µm mirrorbit 处理
技术
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SecSi
(secured 硅) sector 区域
— 128-文字/256-字节 sector 为 永久的, secure
identification 通过 一个 8-文字/16-字节 随机的
电子的 串行 号码, accessible 通过 一个
command sequence
— 将 是 编写程序 和 锁 在 这 工厂 或者 用
这 客户
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有伸缩性的 sector architecture
— sixty-三 32 kword/64-kbyte sectors
— 第八 4 kword/8 kbyte 激励 sectors
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兼容性 和 电子元件工业联合会 standards
— 提供 引脚 和 软件 兼容性 为
单独的-电源 供应 flash, 和 更好的 inadvertent
写 保护
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最小 100,000 擦掉 循环 保证 每 sector
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20-年 数据 保持 在 125
°
C
效能 特性
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高 效能
— 90 ns 进入 时间
— 25 ns 页 读 时间
— 0.5 s 典型 sector 擦掉 时间
— 15 µs 典型 有效的 写 缓存区 文字 程序编制
时间: 16-文字/32-字节 写 缓存区 减少 整体的
程序编制 时间 为 多样的-文字/字节 updates
— 4-文字/8-字节 页 读 缓存区
— 16-文字/32-字节 写 缓存区
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低 电源 消耗量 (典型 值 在 3.0 v, 5
mhz)
— 13 毫安 典型 起作用的 读 电流
— 50 毫安 典型 擦掉/程序 电流
— 1 µa 典型 备用物品 模式 电流
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包装 选项
— 48-管脚 tsop
— 48-球 fine-程度 bga
— 64-球 fortified bga
软件 &放大; 硬件 特性
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软件 特性
— 程序 suspend &放大; 重新开始: 读 其它 sectors
在之前 程序编制 运作 是 完成
— 擦掉 suspend &放大; 重新开始: 读/程序 其它
sectors 在之前 一个 擦掉 运作 是 完成
— data# polling &放大; toggle 位 提供 状态
— unlock 绕过 程序 command 减少 整体的
多样的-文字 程序编制 时间
— cfi (一般 flash 接口) 一致的: 准许 host
系统 至 identify 和 accommodate 多样的 flash
设备
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硬件 特性
— sector 组 保护: 硬件-水平的 方法 的
阻止 写 行动 在里面 一个 sector 组
— temporary sector unprotect: v
ID
-水平的 方法 的
changing 代号 在 锁 sectors
— wp#/acc 输入:
写 保护 输入 (wp#) 保护 顶 或者 bottom 二
sectors regardless 的 sector 保护 settings
acc (高 电压) accelerates 程序编制 时间 为
高等级的 throughput 在 系统 生产
— 硬件 重置 输入 (reset#) resets 设备
— 准备好/busy# 输出 (ry/by#) indicates 程序 或者
擦掉 循环 completion
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