p-dso-28-9
半导体 组 1 1999-01-07
TrilithIC
BTS 770 G
Overview
特性
• 四方形 转变 驱动器
• 自由 configurable 作 桥 或者 四方形-转变
• 优化 为 直流 发动机 管理 产品
• 过激 低
R
DS 在
@25
°
c:
高-一侧 转变: 典型值.165 m
Ω
,
低-一侧 转变: 典型值 55 m
Ω
• 非常 高 顶峰 电流 能力
• 非常 低 安静的 电流
• 空间- 和 热的 优化 电源 p-dso-包装
• 加载 和 地-短的-电路-保护
• 运作 向上 至 40 v
• 状态 标记 diagnosis
• overtemperature shut 向下 和 hysteresis
• 短的-电路 发现 和 diagnosis
• 打开-加载 发现 和 diagnosis
• c-mos 兼容 输入
• 内部的 clamp 二极管
• 分开的 来源 为 外部 电流 感觉到
• 在- 和 下面-电压 发现 和 hysteresis
描述
这
BTS 770 G
是 一个
TrilithIC
包含 一个 翻倍 高-一侧 转变 和 二 低-一侧
switches 在
一个 p-dso-28-9
-包装.
“silicon instead 的 heatsink”
变为 真实
这 过激 低
R
DS 在
的 这个 设备 避免 powerdissipation. 它 saves costs 在 机械的
构建 和 挂载 和 增加 这 效率.
这 高-一侧 switches 是 生产 在 这
siemens smart sipmos
®
技术. 它
是 全部地 保护 和 包含 这 信号 conditioning 电路系统 为 diagnosis. (这
comparable 标准 高-一侧 产品 是 这
BTS 611L1
.)
类型 订货 代号 包装
BTS 770 G q67007-a9254 p-dso-28-9
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