关键 特性
5 volt 读, 程序, 和 擦掉
– 降低 系统-水平的 电源 (所需的)东西
高 效能
– 进入 时间 作 快 作 45 ns
低 电源 消耗量
– 20 毫安 典型 起作用的 读 电流 在 字节
模式, 28 毫安 典型 在 文字 模式
– 30 毫安 典型 程序/擦掉 电流
– 5 µa 最大 cmos 备用物品 电流
兼容 和 电子元件工业联合会 standards
– 包装, 引脚 和 command-设置
兼容 和 这 单独的-供应 flash
设备 标准
– 提供 更好的 inadvertent 写
保护
sector 擦掉 architecture
– 激励 sector architecture 和 顶 和
bottom 激励 块 选项 有
– 一个 16 kbyte, 二 8 kbyte, 一个 32 kbyte
和 七 64 kbyte sectors 在 字节 模式
– 一个 8 kword, 二 4 kword, 一个 16 kword
和 七 32 kword sectors 在 文字 模式
– 一个 command 能 擦掉 任何 结合体 的
sectors
– 支持 全部 碎片 擦掉
擦掉 suspend/重新开始
– temporarily suspends 一个 sector 擦掉
运作 至 准许 数据 至 是 读 从, 或者
编写程序 在, 任何 sector 不 正在
erased
sector 保护
– 任何 结合体 的 sectors 将 是
锁 至 阻止 程序 或者 擦掉
行动 在里面 那些 sectors
temporary sector unprotect
– 准许 改变 在 锁 sectors
(需要 高 电压 在 reset# 管脚)
内部的 擦掉 algorithm
– automatically erases 一个 sector, 任何
结合体 的 sectors, 或者 这 全部 碎片
内部的 程序编制 algorithm
– automatically programs 和 核实 数据
在 一个 指定 地址
快 程序 和 擦掉 时间
– 字节 程序编制 时间: 7 µs 典型
– sector 擦掉 时间: 1.0 秒 典型
– 碎片 擦掉 时间: 11 秒 典型
data# polling 和 toggle 状态 位
– 提供 软件 confirmation 的
completion 的 程序 或者 擦掉
行动
准备好/busy# 输出 (ry/by#)
– 提供 硬件 confirmation 的
completion 的 程序 和 擦掉
行动
100,000 程序/擦掉 循环 最小
空间 效率高的 包装
– 有 在 工业-标准 44-管脚
psop 和 48-管脚 tsop 和 反转
tsop 包装
修订 5.2, 将 2001
一般 描述
这 hy29f400 是 一个 4 megabit, 5 volt 仅有的 cmos
flash 记忆 有组织的 作 524,288 (512k) 字节
或者 262,144 (256k) words. 这 设备 是 offered 在
工业-标准 44-管脚 psop 和 48-管脚 tsop
包装.
这 hy29f400 能 是 编写程序 和 erased
在-系统 和 一个 单独的 5-volt v
CC
供应. inter-
nally 发生 和 管制 电压 是 pro-
vided 为 程序 和 擦掉 行动, 所以 那
这 设备 做 不 需要 一个 高 电压 电源
供应 至 执行 那些 功能. 这 设备 能
也 是 编写程序 在 标准 非易失存储器 pro-
grammers. 进入 时间 作 快 作 55 ns 在
这 全部 运行 电压 范围 的 5.0 伏特 ± 10%
是 offered 为 定时 兼容性 和 这 零
wait 状态 (所需的)东西 的 高 速 micropro-
a[17:0]
18
CE#
OE#
RESET#
BYTE#
WE#
8
7
dq[7:0]
dq[14:8]
dq[15]/一个-1
ry/by#
逻辑 图解
HY29F400
4 megabit (512kx8/256kx16) 5 volt-仅有的 flash 记忆
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