技术的 数据
npn 电源 硅 晶体管
qualified 每 mil-PRF-19500/538
设备 qualified 水平的
2N6676 2N6678 2N6691 2N6693
JAN
JANTX
JANTXV
最大 比率
比率 标识 2N6676
2N6691
2N6678
2N6693
单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
300 400 Vdc
集电级-根基 电压
V
CBO
450 650 Vdc
集电级-根基 电压
V
CEX
450 650 Vdc
发射级-根基 电压
V
EBO
8.0 Vdc
根基 电流 I
B
5.0 模数转换器
集电级 电流
I
C
15 模数转换器
2N6676
2N6678
2N6691
2N6693
总的 电源 消耗@ t
一个
= 25
0
C
@ t
C
= 25
0
C
(1)
P
T
6.0
(2)
175
3.0
(3)
175
W
W
运行 &放大; 存储 接合面 温度 范围
T
运算;
T
stg
-65 至 +200
0
C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面-至-情况
R
θ
JC
1.0
0
c/w
1)减额 成直线地 1.0w/
0
c 为 t
C
> 25
0
C
2)减额 成直线地 34.2 mw/
0
c 为 t
一个
> 25
0
C
3)减额 成直线地 17.1 mw/
0
c 为 t
一个
> 25
0
C
2n6676, 2n6678
至-3 (至-204aa)*
2n6691, 2n6693
至-61*
* 看 附录 一个 为 包装
外形
电的 特性 (t
C
= 25
0
c 除非 otherwise 指出)
特性
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 200 madc2n6676, 2n6691
2n6678, 2n6693
V
(br)
CEO
300
400
Vdc
集电级-发射级 截止 电流
V
CE
= 450 vdc, v
是
= 1.5 vdc2n6676,2N6691
V
CE
= 650 vdc, v
是
= 1.5 vdc2n6678, 2n6693
I
CEX
0.1
0.1
mAdc
6 lake 街道, lawrence, 毫安 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / 传真: (978) 689-0803
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