军队 和 商业的 温度 范围 8月 1996
1996 整体的 设备 技术, 公司
5.3
dsc-2545/9
1
整体的 设备 技术, 公司
这 16-位 transceivers 是 建造 使用 先进的 双 metal
cmos 技术. 这些 高-速, 低-电源 transceiv-
ers 是 完美的 为 同步的 交流 在 二
busses (一个 和 b). 这 方向 和 输出 使能 控制
运作 这些 设备 作 也 二 独立 8-位 trans-
ceivers 或者 一个 16-位 transceiver. 这 方向 控制 管脚
(xdir) 控制 这 方向 的 数据 流动. 这 输出 使能
管脚 (x
OE
) overrides 这 方向 控制 和 使不能运转 两个都
端口. 所有 输入 是 设计 和 hysteresis 为 改进
噪音 余裕.
这 fct16245t 是 ideally suited 为 驱动 高-capaci-
tance 负载 和 低-阻抗 backplanes. 这 输出 buff-
ers 是 设计 和 电源 止 使不能运转 能力 至 准许 "live
嵌入" 的 boards 当 使用 作 backplane 驱动器.
这 fct162245t 有 保持平衡 输出 驱动 和 电流
限制的 电阻器. 这个 提供 低 地面 bounce, minimal
undershoot, 和 控制 输出 下降 times– 减少 这
需要 为 外部 序列 terminating 电阻器. 这
fct162245t 是 plug-在 替换 为 这 fct16245t
和 abt16245 为 在-板 接口 产品.
这 fct166245t 是 suited 为 非常 低 噪音, 要点-至-
要点 驱动 在哪里 那里 是 一个 单独的 接受者, 或者 一个 明亮的 lumped
描述:
这 idt 标志 是 一个 注册 商标 的 整体的 设备 技术, 公司
函数的 块 图解
1
DIR
1
OE
1
一个
1
1
一个
2
1
一个
3
1
一个
4
1
一个
5
1
一个
6
1
一个
7
1
一个
8
1
B
1
1
B
2
1
B
3
1
B
4
1
B
5
1
B
6
1
B
7
1
B
8
2545 drw 02
2
DIR
2
OE
2
一个
1
2
一个
2
2
一个
3
2
一个
4
2
一个
5
2
一个
6
2
一个
7
2
一个
8
2
B
1
2
B
2
2
B
3
2
B
4
2
B
5
2
B
6
2
B
7
2
B
8
2545 drw 01
idt54/74fct16245t/在/ct/et
idt54/74fct162245t/在/ct/et
idt54/74fct166245t/在/ct
idt54/74fct162h245t/在/ct/et
快 cmos 16-位
双向的
TRANSCEIVERS
特性:
• 一般 特性:
– 0.5 micron cmos 技术
– 高-速, 低-电源 cmos 替换 为
abt 功能
–
典型 t
SK
(o) (输出 skew) < 250ps
– 低 输入 和 输出 泄漏
≤
1
µ
一个 (最大值.)
– 静电释放 > 2000v 每 mil-标准-883, 方法 3015;
> 200v 使用 机器 模型 (c = 200pf, r = 0)
– 包装 包含 25 mil 程度 ssop, 19.6 mil 程度
tssop, 15.7 mil 程度 tvsop 和 25 mil 程度 cerpack
– 扩展 商业的 范围 的 -40
°
c 至 +85
°
C
• 特性 为 fct16245t/在/ct/et:
– 高 驱动 输出 (-32ma i
OH
, 64ma i
OL
)
– 电源 止 使不能运转 输出 准许 “live insertion”
– 典型 v
OLP
(输出 地面 bounce) < 1.0v 在
V
CC
= 5v, t
一个
= 25
°
C
• 特性 为 fct162245t/在/ct/et:
– 保持平衡 输出 驱动器:
±
24ma (商业的),
±
16ma (军队)
– 减少 系统 切换 噪音
– 典型 v
OLP
(输出 地面 bounce) < 0.6v 在
V
CC
= 5v,t
一个
= 25
°
C
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