1/10july 2001
■
高 速:
t
PD
= 9ns (典型值.) 在 v
CC
= 6v
■
低 电源 消耗:
I
CC
= 4
µ
一个(最大值.) 在 t
一个
=25°C
■
高 噪音 免除:
V
NIH
= v
NIL
= 28 % v
CC
(最小值.)
■
对称的 输出 阻抗:
|I
OH
| = i
OL
= 6ma (最小值)
■
保持平衡 传播 延迟:
t
PLH
≅
t
PHL
■
宽 运行 电压 范围:
V
CC
(opr) = 2v 至 6v
■
管脚 和 函数 兼容 和
74 序列 541
描述
这 74hc541 是 一个 先进的 高-速 cmos
octal 总线 缓存区 (3-状态) fabricated 和
硅 门 c
2
mos 技术. 这 m74hc541
是 一个 非 反相的 缓存区.
这 3-状态 控制 门 运作 作 一个 二 输入
和 此类 那 如果 也 g1
和 g2是 高, 所有
第八 输出 是 在 这 高 阻抗 状态. 在
顺序 至 增强 pc 板 布局 这 m74hc541
提供 一个 引脚 having 输入 和 输出 在
opposite sides 的 这 包装.
所有 输入 是 配备 和 保护 电路
相反 静态的 释放 和 瞬时 excess
电压.
M74HC541
octal 总线 缓存区
和 3 状态 输出 (非 inverted)
管脚 连接 和 iec 逻辑 symbols
顺序 代号
包装 TUBE t &放大; r
插件 M74HC541B1R
SOP M74HC541M1R M74HC541RM13TR
TSSOP M74HC541TTR
TSSOPDIP SOP