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初步的 数据
六月 2004
这个 是 初步的 信息 在 一个 新 产品 now 在 开发 或者 undergoing evaluation. 详细信息 是 主题 至 改变 without 注意.
psd813f2, psd833f2
psd834f2, psd853f2, psd854f2
flash 在-系统 可编程序的 (isp)
peripherals 为 8-位 mcus, 5v
特性 summary
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flash 在-系统 可编程序的 (isp)
附带的 为 8-位 mcus
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双 bank flash memories
– 向上 至 2 mbit 的 primary flash
记忆 (8 uniform sectors, 32k x8)
– 向上 至 256 kbit secondary flash
记忆 (4 uniform sectors)
– concurrent 运作: 读 从 一个
记忆 当 erasing 和 writing 这
其它
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向上 至 256 kbit 电池-backed sram
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27 reconfigurable i/o 端口
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增强 jtag 串行 端口
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pld 和 macrocells
– 在 3000 门 的 pld: cpld 和
DPLD
– cpld 和 16 输出 macrocells (omcs)
和 24 输入 macrocells (imcs)
– dpld - 用户 定义 内部的 碎片 选择
解码
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27 individually configurable i/o
端口 管脚
这 能 是 使用 为 这 下列的 功能:
– mcu i/os
–pld i/os
– latched mcu 地址 输出
– 特定的 函数 i/os.
– 16 的 这 i/o 端口 将 是 配置 作
打开-流 输出.
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在-系统 程序编制 (isp) 和
JTAG
– 建造-在 jtag 一致的 串行 端口 准许
全部-碎片 在-系统 programmability
– 效率高的 制造 准许 容易
产品 测试 和 程序编制
– 使用 低 费用 flashlink 缆索 和 pc
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页 寄存器
– 内部的 页 寄存器 那 能 是 使用 至
expand 这 微控制器 地址 空间
用 一个 因素 的 256
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可编程序的 电源 管理
图示 1. 包装
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高 忍耐力:
– 100,000 擦掉/写 循环 的 flash
记忆
– 1,000 擦掉/写 循环 的 pld
– 15 年 数据 保持
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5v±10% 单独的 供应 电压
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备用物品 电流 作 低 作 50µa
pqfp52 (m)
plcc52 (j)
tqfp64 (u)
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