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特性
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2.7v 至 3.6v 读/写 运作
•
快 读 进入 时间 - 120 ns
•
内部的 擦掉/程序 控制
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sector architecture
– 一个 8k words (16k 字节) 激励 块 和 程序编制 lockout
– 二 4k words (8k 字节) 参数 blocks
– 一个 240k words (480k 字节) 主要的 记忆 排列 块
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快 sector 擦掉 时间 - 10 秒
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字节-用-字节 或者 文字-用-文字 程序编制 - 30
µ
s 典型
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硬件 数据 保护
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数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低-电源 消耗
– 25 毫安 起作用的 电流
–50
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
描述
这 at49bv004(t) 和 at49bv4096a(t) 是 3-volt, 4-megabit flash memories
有组织的 作 524,288 words 的 8 位 各自 或者 256k words 的 16 位 各自. manufac-
tured 和 atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入
时间 至 120 ns 和 电源 消耗 的 just 67 mw 在 2.7v 读. 当 deselected,
这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 50
µ
一个.
这 设备 包含 一个 用户-使能 “boot block” 保护 特性. 二 版本 的
这 特性 是 有: 这 at49bv004/4096a locates 这 激励 块 在 最低
顺序 地址 (“bottom boot”); 这 at49bv004t/4096at locates 它 在 最高的 顺序
地址 (“top boot”).
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49bv004(t)/4096a(t) 做
不 需要 高 输入 电压 为 程序编制. 读 数据 输出 的 这 设备 是
类似的 至 读 从 一个 非易失存储器; 它 有 标准 ce
, oe, 和 我们 输入 至 避免
总线 contention. reprogramming 这 at49bv004(t)/4096a(t) 是 执行 用 第一
erasing 一个 块 的 数据 和 然后 程序编制 在 一个 字节-用-字节 或者 文字-用-文字
基准.
4-megabit
(512k x 8/
256k x 16)
cmos flash
记忆
AT49BV004
AT49BV004T
AT49BV4096A
AT49BV4096AT
初步的
rev. 1139a–09/98
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a18 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们 写 使能
重置
重置
rdy/busy
准备好/busy输出
VPP
optional 电源 供应 为 faster
程序/擦掉 行动
i/o0 - i/o14 数据 输入/输出
i/o15(一个-1)
i/o15 (数据 输入/输出, 文字 模式)
一个-1 (lsb 地址 输入, 字节 模式)
字节 选择 字节 或者 文字 模式
NC 非 连接
(持续)
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