1/9March 2004
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传播 延迟 时间:
t
PD
= 40ns (典型值.) 在 V
DD
= 10V C
L
= 50pF
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高 至 低 水平的 逻辑 转换
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高 "下沉" 和 "源" 电流
能力
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安静的 电流 指定 向上 至
20V
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5v, 10V 和 15V 参数 比率
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输入 泄漏 电流
I
I
= 100nA (最大值) 在 V
DD
=18VT
一个
= 25°C
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100% 测试 为 安静的 电流
描述
这 HCF4049UB 是 一个 大而单一的 整体的 电路
fabricated 在 Metal Oxide 半导体
技术 有 在 插件 和 SOP 包装.
它 是 一个 反相的 十六进制 缓存区/转换器 和 特性
逻辑 水平的 conversions 使用 仅有的 一个 供应
电压 (v
DD
).
这 输入 高 水平的 信号 (v
IH
) 能 超过 这
V
DD
供应 电压 当 这些 设备 是 使用
为 逻辑 水平的 conversions. 这个 设备 是 将
为 使用 作 CMOS 至 dtl/ttl 转换器 和 能
驱动 直接地 二 dtl/ttl 负载 (v
DD
=5v,v
OL
≤
0.4v 和 I
OL
≤
3.2ma.
HCF4049UB
十六进制 缓存区/转换器 (反相的)
管脚 连接
顺序 代号
包装 TUBE T &放大; R
插件 HCF4049UBEY
SOP HCF4049UBM1 HCF4049UM013TR
插件 SOP
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