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©
1990, 1993, 1995
mos 整体的 电路
µ
PD431000A
1m-位 cmos 静态的 内存
128k-文字 用 8-位
数据 薄板
文档 非. m11657ejbv0ds00 (11th 版本)
日期 发行 april 2002 ns cp (k)
打印 在 日本
这 mark
★
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描述
这
µ
pd431000a 是 一个 高 速, 低 电源, 和 1,048,576 位 (131,072 words 用 8 bits) cmos 静态的 ram.
这
µ
pd431000a 有 二 碎片 使能 管脚 (/ce1, ce2) 至 扩展 这 capacity. 和 电池 backup 是 有. 在
增加 至 这个, 一个 和 b 版本 是 低 电压 行动.
这
µ
pd431000a 是 packed 在 32-管脚 塑料 插件, 32-管脚 塑料 sop 和 32-管脚 塑料 tsop (i)
(8
×
13.4
mm) 和 (8
×
20 mm).
特性
•
131,072 words 用 8 位 organization
•
快 进入 时间: 70, 85, 100, 120, 150 ns (max.)
•
低 电压 运作 (一个 版本: v
CC
= 3.0 至 5.5 v, b 版本: v
CC
= 2.7 至 5.5 v)
•
运行 包围的 温度: t
一个
= 0 至 70
°
C
•
低 v
CC
数据 保持: 2.0 v (最小值.)
•
输出 使能 输入 为 容易 应用
•
二 碎片 使能 输入: /ce1, ce2
部分 号码 进入 时间 运行 供应 运行 包围的 供应 电流
ns (最大值.) 电压 温度 在 运行 在 备用物品 在 数据 保持
V °C 毫安 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
µ
一个 (最大值.)
Note1
µ
pd431000a-xxl 70, 85 4.5 至 5.5 0 至 70 70 100 15
µ
pd431000a-xxll 20 3
µ
pd431000a-axx 70
Note2
, 100 3.0 至 5.5 35
Note3
13
Note5
µ
pd431000a-bxx 70
Note2
, 100, 120, 150 2.7 至 5.5 30
Note4
11
Note6
注释 1.
T
一个
≤
40
°
C
2.
V
CC
= 4.5 至 5.5 v
3.
70 毫安 (v
CC
> 3.6 v)
4.
70 毫安 (v
CC
> 3.3 v)
5.
20
µ
一个 (v
CC
> 3.6 v)
6.
20
µ
一个 (v
CC
> 3.3 v)
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