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资料编号:995182
 
资料名称:IXFH26N50P
 
文件大小: 211K
   
说明
 
介绍:
Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
 
 


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g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
ds99276a(09/05)
PolarHV
TM
电源 场效应晶体管
V
DSS
= 500 V
I
D25
=26A
R
ds(在)
≤≤
≤≤
230 m
ΩΩ
ΩΩ
t
rr
≤≤
≤≤
200 ns
avalanche 评估
快 instrinsic 二极管
特性
z
国际的 标准 包装
z
快 intrinsic 二极管
z
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
z
低 包装 电感
有利因素
z
容易 至 挂载
z
空间 savings
z
高 电源 密度
至-247 (ixfh)
标识 测试 情况 典型的
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
一个 500 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 4 毫安 3.0 5.0 V
I
GSS
V
GS
=
±
30 v
直流
, v
DS
= 0
±
100 nA
I
DSS
V
DS
= v
DSS
25
µ
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
°
C 250
µ
一个
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 i
D25
230 m
脉冲波 测试, t
300
µ
s, 职责 循环 d
2 %
标识 测试情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25
°
c 至 150
°
C 500 V
V
DGR
T
J
= 25
°
c 至 150
°
c; r
GS
= 1 m
500 V
V
GSS
Continuos
±
30 V
V
GSM
瞬时
±
40 V
I
D25
T
C
= 25
°
C26A
I
DM
T
C
= 25
°
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
78 一个
I
AR
T
C
= 25
°
C26A
E
AR
T
C
= 25
°
C40mJ
E
T
C
= 25
°
C 1.0 J
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
µ
s, v
DD
V
DSS
, 10 v/ns
T
J
150
°
c, r
G
= 4
P
D
T
C
= 25
°
C 400 W
T
J
-55 ... +150
°
C
T
JM
150
°
C
T
stg
-55 ... +150
°
C
T
L
1.6 mm (0.062 在.) 从 情况 为 10 s 300
°
C
塑料 身体 260
°
C
M
d
挂载 torque (至-247) 1.13/10 nm/lb.在.
F
C
挂载 强迫 (plus220smd) 11..65/2.5..15 n/lb
重量
至-3p 6 g
plus220 &放大; plus220smd 5 g
ixfh 26n50p
ixfv 26n50p
ixfv 26n50ps
G
S
d (tab)
plus220smd (ixfv_s)
G
S
D
plus220 (ixfv)
d (tab)
初步的 数据 薄板
d (tab)
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