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标识 测试 情况 最大 比率
V
DSS
T
J
= 25
c 至 150
C 600 V
V
DGR
T
J
= 25
c 至 150
c; r
GS
= 1 m
600 V
V
GS
持续的
20 V
V
GSM
瞬时
30 V
I
D25
T
C
= 25
C44A
I
DM
T
C
= 25
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
176 一个
I
AR
T
C
= 25
C44A
E
AR
T
C
= 25
C60mJ
E
作
T
C
= 25
C3J
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
s, v
DD
V
DSS
5 v/ns
T
J
150
c, r
G
= 2
P
D
T
C
= 25
C 560 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
T
L
1.6 mm (0.063 在.) 从 情况 为 10 s 300
C
M
d
挂载 torque 至-264 0.4/6 nm/lb.在.
重量
加 247 6 g
至-264 10 g
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 3ma 600 V
V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 8ma 2.5 4.5 v
I
GSS
V
GS
=
20 v, v
DS
= 0
100 na
I
DSS
V
DS
= v
DSS
T
J
= 25
C 100
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
c2 毫安
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 • i
D25
130 m
便条 1
单独的 场效应晶体管 消逝
特性
• 国际的 标准 包装
• 低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
• 坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
• unclamped inductive 切换 (uis)
评估
• 低 包装 电感
- 容易 至 驱动 和 至 保护
• 快 intrinsic 整流器
产品
• 直流-直流 转换器
• 电池 chargers
• 切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
• 直流 choppers
• 交流 发动机 控制
• 温度 和 lighting 控制
有利因素
• 加 247
TM
包装 为 clip 或者 spring
挂载
• 空间 savings
• 高 电源 密度
HiPerFET
TM
电源 mosfets
98611b (7/00)
加 247
TM
(ixfx)
G
D
(tab)
g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
ixfx 44n60
V
DSS
= 600 V
ixfk 44n60
I
D25
=44A
R
ds(在)
= 130 m
t
rr
250 ns
S
G
D
(tab)
至-264 aa (ixfk)
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
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