1/19/00
IRFL014N
pd- 92003a
www.irf.com 1
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
s
d
g
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.16
Ω
我
d
= 1.9a
第五 世代 hexfet
®
mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet
®
电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 sot-223 包装 是 设计 用于 表面贴装
使用 蒸气 相位, 红外线, 或 波浪 焊接 技术.
其 独一无二 包装 设计 允许 用于 容易 自动 拾取-
和-地点 作为 与 其他 sot 或 soic 软件包 但是 有
这 已添加 优势 的 改进 热 业绩
到期 至 一个 放大型 选项卡 用于 散热器. 电源 耗散
的 1.0w 是 可能 入点 一个 典型 表面 安装 应用程序.
描述
表面 安装
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
动态 设计验证/dt 评级
快 开关
完全 雪崩 额定
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
接合点-至-amb. (pcb 安装, 稳定 州)* 90 120
右
θ
ja
接合点-至-amb. (pcb 安装, 稳定 州)** 50 60
热 电阻
°c/w
参数 最大值 单位
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v** 2.7
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v* 1.9
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v* 1.5
我
dm
脉冲 排水管 电流
15
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 (pcb 安装)** 2.1 w
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 (pcb 安装)* 1.0 w
线性 降额 因素 (pcb 安装)* 8.3
mw/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
48 mJ
我
ar
雪崩 电流
1.7 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
* 0.1 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大值 额定值
一个
* 当 已安装 开启 右前-4 板 使用 最小值 推荐 占地面积.
** 当 已安装 开启 1 英寸 方块字 铜 板, 用于 比较 与 其他 smd 设备.
sot-223
通电 由 icminer.com 电子-图书馆 服务 版权 2003
: 点此下载
