IS62WV5128BLL_集成电路资料查询网

2003. 12. 12 1/4
半导体
技术类 数据
2N3906E
外延 平面 pnp 晶体管
修订 否 : 0
概述 目的 应用程序.
开关 应用程序.
特点
低 泄漏 电流
: 我
CEX
=-50na(最大值.),  我
bl
=-50na(最大值.)
@V
ce
=-30v, v
eb
=-3v.
优秀 直流 电流 增益 线性度.
低 饱和度 电压
: v
ce(sat)
=-0.4v(最大值.)  @i
c
=-50ma, 我
B
=-5ma.
低 收集器 输出 电容
: c
ob
=4.5pf(最大值.) @v
cb
=-5v.
互补 至 2n3904e.
最大值 评级  (助教=25 )
昏暗
毫米
一个
B
d
e?
ESM
1.60   0.10
0.85   0.10
0.70   0.10
0.27+0.10/-0.05
1.60   0.10
1.00   0.10
0.50
0.13   0.05
c
g
h
j
1
3
2
e?
B
d
一个
g
h
c
j
1. 发射器
2. 底座
3. 收集器
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
特性 符号 评级 单位
收集器-底座 电压
v
CBO
-40 v
集电极-发射极 电压
v
CEO
-40 v
发射器-底座 电压
v
EBO
-5 v
收集器 电流
我
c
-200 ma
底座 电流
我
B
-50 ma
收集器 电源 耗散
p
c
100 mW
接合点 温度
t
j
150
存储 温度 范围
t
stg
-55 150
类型 姓名
标记
z 一个

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2003. 12. 12 1/4 半导体技术类数据 2N3906E 外延平面 pnp 晶体管修订否 : 0 概述目的应用程序. 开关应用程序. 特点低泄漏电流 : 我 CEX =-50na(最大值.), 我 bl =-50na(最大值.) @V ce =-30v, v eb =-3v. 优秀直流电流增益线性度. 低饱和度电压 : v ce(sat) =-0.4v(最大值.) @i c =-50ma, 我 B =-5ma. 低收集器输出电容 : c ob =4.5pf(最大值.) @v cb =-5v. 互补至 2n3904e. 最大值评级 (助教=25 ) 昏暗毫米一个 B d e? ESM 1.60 0.10 0.85 0.10 0.70 0.10 0.27+0.10/-0.05 1.60 0.10 1.00 0.10 0.50 0.13 0.05 c g h j 1 3 2 e? B d 一个 g h c j 1. 发射器 2. 底座 3. 收集器 + _ + _ + _ + _ + _ + _ 特性符号评级单位收集器-底座电压 v CBO -40 v 集电极-发射极电压 v CEO -40 v 发射器-底座电压 v EBO -5 v 收集器电流我 c -200 ma 底座电流我 B -50 ma 收集器电源耗散 p c 100 mW 接合点温度 t j 150 存储温度范围 t stg -55 150 类型姓名标记 z 一个

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