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资料编号:137029
 
资料名称:AO4800
 
文件大小: 325.01K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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2
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符号
v
ds
v
gs
dm
t
j
, t
stg
符号 典型值 最大值
48 62.5
74 110
θ
JL
35 40
最大值 接合点-至-铅
c
稳态 °c/w
参数 单位
最大值 交叉点到环境
一个
t
10s
θ
ja
°c/w
最大值 交叉点到环境
一个
稳态
°c/w
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
t
一个
=70°C 1.44
w
电源 耗散
t
一个
=25°C
p
d
2
一个
t
一个
=70°C 5.8
脉冲 排水管 电流
B
40
连续 排水管
电流
一个
t
一个
=25°C
d
6.9
漏源 电压 30 v
栅极-源极 电压 ±12 v
绝对 最大值 额定值 t
一个
=25°c 除非 否则 已注明
参数 最大值 单位
AO4800
双 n通道 增强功能 模式 字段 效果 晶体管
july 2001
特点
v
ds
(v) = 30v
d
= 6.9a
ds(开启)
&指示灯; 27m
(v
gs
= 10v)
ds(开启)
&指示灯; 32m
(v
gs
= 4.5v)
ds(开启)
&指示灯; 50m
(v
gs
= 2.5v)
概述 描述
这 ao4800 用途 高级 海沟 技术 至
提供 优秀 右
ds(开启)
和 低 闸门 费用. 这
两个 mosfets 制造 一个 紧凑型 和 高效 开关
和 同步 整流器 组合 用于 使用 入点
降压 转换器.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
soic-8
阿尔法 &放大器; omega 半导体, 有限公司.
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