©2003 仙童 半导体 公司 rev. 一个, 8月 2003
BC182B
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
符号 参数 值 单位
v
CEO
集电极-发射极 电压 50 v
v
CBO
收集器-底座 电压 60 v
v
EBO
发射器-底座 电压 6 v
我
c
收集器 电流 - 连续 100 ma
t
j,
t
stg
存储 接合点 温度 范围 - 55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
关 特性
v
(br)ceo
集电极-发射极 击穿 电压 我
c
= 2ma, 我
B
= 0 50 v
v
(br)cbo
收集器-底座 击穿 电压 我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0 60 v
v
(br)ebo
发射器-底座 击穿 电压 我
e?
= 10
µ
一个, 我
c
= 0 6 v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= 50v, v
是
= 0 15 不适用
我
EBO
发射器-底座 泄漏 电流 v
eb
= 4v, 我
e?
= 0 15 不适用
开启 特性
h
铁
直流 电流 增益 v
ce
= 5v, 我
c
= 10
µ
一个
v
ce
= 5v, 我
c
= 100ma
40
80
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 10ma, 我
B
= 0.5ma
我
c
= 100ma, 我
B
= 5ma
0.25
0.6
v
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 100ma, 我
B
= 5ma 1.2 v
v
是
(开启) 基极-发射极 开启 电压 v
ce
= 5v, 我
c
= 2ma 0.55 0.7 v
动态 特性
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
= 5v, 我
c
= 10ma, f = 100mhz 150 MHz
c
ob
输出 电容 v
ce
= 10v, 我
c
= 0, f = 1mhz 5 pf
h
铁
小 信号 电流 增益 v
ce
= 5v, 我
c
= 2ma, f = 1khz 240 500
nf 噪声 图 v
ce
= 5v, 我
c
= 0.2ma
右
s
= 2k
Ω
, f = 1khz, bw = 200hz
10 db
BC182B
npn 概述 目的 放大器
• 这个 设备 是 设计 用于 概述 目的 放大器 应用程序 在
收集器 电流 至 100ma.
• 来源 从 流程 10.
1. 收集器 2. 底座 3. 发射器
至-92
1
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