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资料编号:185303
 
资料名称:BUV26
 
文件大小: 62.22K
   
说明
 
介绍:
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUV26
中等 电源 npn 硅 晶体管
sgs-thomson preferred salestype
npn 晶体管
快 switching 速
低 集电级 发射级 饱和
产品
切换 regulators
发动机 控制
描述
这 buv26 是 一个 multiepitaxial planar npn
晶体管 在 至-220 包装. 它 是 将 为
使用 在 高 频率 和 efficency 转换器,
六月 1997
绝对 最大 比率
标识 参数 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 (i
E
= 0) 180 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (i
B
= 0) 90 V
V
EBO
发射级-根基 电压 (i
C
= 0) 7 V
I
C
发射级 电流 14 一个
I
CM
集电级 顶峰 电流 (t
p
<10ms) 25 一个
I
B
根基 电流 4 一个
I
BM
根基 顶峰 电流 (t
p
<10ms) 6 一个
P
tot
总的 消耗 在 tc < 25
o
C85W
P
tot
总的 消耗 在 t
c
< 60
o
C65W
T
stg
存储 温度 -65 至 +175
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 175
o
C
1
2
3
至-220
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