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资料编号:185585
 
资料名称:BUZ110SL
 
文件大小: 121.06K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated)
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 集团 1 28/jan/1998
buz 110 sl
SPP80N05L
SIPMOS
®
电源 晶体管
• n 频道
• 增强功能 模式
• 逻辑 水平
• 雪崩-额定
• d
v
/d
t
• 175°c 操作 温度
• 也 入点 smd 可用
管脚 1 管脚 2 管脚 3
g d s
类型
v
ds
d
ds(开启
)
包装 订购 代码
buz 110 sl 55 v 80 一个 0.015
至-220 ab q67040-s4004-a2
最大值 额定值
参数 符号 数值 单位
连续 排水管 电流
t
c
= 25 °c
t
c
= 100 °c
d
59
80
一个
脉冲 排水管 电流
t
c
= 25 °c
Dpuls
320
雪崩 能源, 单独 脉冲
d
= 80 一个,
v
dd
= 25 v,
gs
= 25
l
= 144 µh,
t
j
= 25 °c
e?
作为
460
mJ
雪崩 电流,有限 由
t
jmax
ar
80 一个
雪崩 能源,周期性 有限 由
t
j最大值
e?
ar
20 mJ
反向 二极管 d
v
/d
t
s
= 80 一个,
v
ds
= 40 v,d
f
/d
t
= 200 一个/µs
t
jmax
= 175 °c
d
v
/d
t
6
kv/µs
闸门 来源 电压
v
gs
±
14 v
电源 耗散
t
c
= 25 °c
p
t
200
w
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