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资料编号:186538
 
资料名称:BC847BWT1
 
文件大小: 185.37K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(NPN Silicon)
 
 


: 点此下载
 
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浏览型号BC847BWT1的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号BC847BWT1的Datasheet PDF文件第3页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 收音机 公司, 有限公司.
k4–1/4
1
3
2
概述 目的 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
评级 符号 BC846 BC847 BC848 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
65 45 30 v
collector–base 电压 v
CBO
80 50 30 v
emitter–base 电压 v
EBO
6.0 6.0 5.0 v
收集器 电流 — 连续
c
100 100 100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
p
d
150 mw
t
一个
= 25°c
热 电阻, 接合点 至 环境
θ
ja
833 °c/w
合计 设备 耗散 p
d
2.4 mw/°c
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bc846awt1 = 1a; bc846bwt1 = 1b; bc847awt1 = 1e; bc847bwt1 = 1f;
bc847cwt1 = 1g; bc848awt1 = 1j; bc848bwt1 = 1k; bc848cwt1 = 1l
电气 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明.)
特性 符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
bc846 系列 65
(我
c
= 10 ma) bc847 系列 v
(br)ceo
45 v
bc848 系列 30
collector–emitter 击穿 电压
bc846 系列 80
(我
c
= 10
µ
一个, v
eb
= 0) bc847 系列 v
(br)消费电子展
50 v
bc848 系列 30
collector–base 击穿 电压 bc846 系列 80
(我
c
= 10
µ
一个) bc847 系列 v
(br)cbo
50 v
bc848 系列 30
emitter–base 击穿 电压 bc846 系列 6.0
(我
e?
= 1.0
µ
一个) bc847 系列, v
(br)ebo
6.0 v
bc848 系列 5.0
收集器 截止 电流 (v
cb
= 30 v)
CBO
——15nA
(v
cb
= 30 v, t
一个
= 150°c) 5.0
µ
一个
bc846awt1,bwt1
bc847awt1,bwt1
CWT1
bc848awt1,bwt1
CWT1
2
发射器
3
收集器
1
底座
案例 419–02, 风格 3
sot–323 /sc–70
这些 晶体管 是 设计 用于 概述 目的 放大器
应用程序. 他们 是 已安置 入点 这 sot–323/sc–70 哪个 是
1.fr–5=1.0 x 0.75 x 0.062in
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