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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
概述 目的 晶体管
npn 硅
这些transistors 一个右e? designed f或general purpose? 一个mplifier
应用程序.t他y 一个右e? housed 我n the? sot–323/sc–70 which 我s
设计 用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
最大值 额定值
评级 符号 BC846 BC847 BC848 单位
收集器–发射器 电压 v
CEO
65 45 30 v
收集器–底座 电压 v
CBO
80 50 30 v
发射器–底座 电压 v
EBO
6.0 6.0 5.0 v
收集器 电流 — 连续 我
c
100 100 100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr–5 板, (1)
t
一个
= 25
°
c
p
d
150 mW
热 电阻, 接合点 至 环境
右
q
ja
833
°
c/w
合计 设备 耗散 p
d
2.4 mw/
°
c
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150
°
c
设备 标记
bc846awt1 = 1a; bc846bwt1 = 1b; bc847awt1 = 1e; bc847bwt1 = 1f;
bc847cwt1 = 1g; bc848awt1 = 1j; bc848bwt1 = 1k; bc848cwt1 = 1l
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
收集器–发射器 击穿 电压 bc846 系列
(我
c
= 10 ma) bc847 系列
bc848 系列
v
(br)ceo
65
45
30
—
—
—
—
—
—
v
收集器–发射器 击穿 电压 bc846 系列
(我
c
= 10
µ
一个, v
eb
= 0) bc847 系列
bc848 系列
v
(br)消费电子展
80
50
30
—
—
—
—
—
—
v
收集器–底座 击穿 电压 bc846 系列
(我
c
= 10
m
一个) bc847 系列
bc848 系列
v
(br)cbo
80
50
30
—
—
—
—
—
—
v
发射器–底座 击穿 电压 bc846 系列
(我
e?
= 1.0
m
一个) bc847 系列
bc848 系列
v
(br)ebo
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
v
收集器 截止 电流 (v
cb
= 30 v)
(v
cb
= 30 v, t
一个
= 150
°
c)
我
CBO
—
—
—
—
15
5.0
不适用
µ
一个
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 入点
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
订单 这个 文件
由 bc846awt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
bc846awt1,bwt1
bc847awt1,bwt1,
CWT1
bc848awt1,bwt1,
CWT1
案例 419–02, 风格 3
sot–323/sc–70
1
2
3
摩托罗拉, 公司 1996
收集器
3
1
底座
2
发射器
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