半导体 组件 行业, llc, 2004
october, 2004 − rev. 7
1
出版物 订单 号码:
nthd4n02f/d
NTHD4N02F
电源 场效应晶体管 和
肖特基 二极管
20 v, 3.9 一个, n−channel, 与 3.7 一个
肖特基 护栏 二极管, chipfet
特点
•
无铅 smd 包装 特色 一个 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
•
40% 较小 比 tsop−6 包装 与 更好 热量
•
超级 低 闸门 费用 场效应晶体管
•
超 低 v
f
肖特基
•
pb−free 包装 是 可用
应用程序
•
快 开关, 低 闸门 费用 用于 直流 至 直流 降压 和 增压
转换器
•
li−ion 蓄电池 应用程序 入点 细胞 电话, pdas, dscs, 和 媒体
玩家
•
荷载 侧面 开关
场效应晶体管 最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 值 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
20 v
gate−to−source 电压 v
gs
±
12 v
连续 排水管
电流
稳定
t
j
= 25
°
c
我
d
2.9
一个
电流
稳定
州
t
j
= 85
°
c 2.1
t
5 s t
j
= 25
°
c 3.9
脉冲 排水管 电流 t
p
=10
s 我
dm
12 一个
电源 耗散
稳定
t
j
= 25
°
c
p
d
0.91
w
稳定
州
t
j
= 85
°
c 0.36
t
5 s t
j
= 25
°
c 2.1
连续 来源 电流 (车身 二极管) 我
s
2.6 一个
操作 接合点 和 存储
温度
t
j
, t
stg
−55 至 150
°
c
铅 温度 用于 焊接 目的
(1/8” 从 案例 用于 10 s)
t
l
260
°
c
肖特基 二极管 最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
参数
符号 值 单位
峰值 重复性 反向 电压 v
rrm
20 v
直流 阻塞 电压 v
右
20 v
平均值 已纠正
前进 电流
稳定
州
t
j
= 25
°
c
我
f
2.2 一个
t
5 s
t
j
=25 c
3.7 一个
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
设备 包装 装运
†
订购 信息
NTHD4N02FT1 ChipFET 3000/胶带 &放大器; 卷轴
ChipFET
案例 1206a
风格 3
http://onsemi.com
c
一个
肖特基 二极管
20 v
20 v
80 m
@ 2.5 v
60 m
@ 4.5 v
0.35 v
右
ds(开启)
典型值
3.9 一个
3.7 一个
我
d
最大值v
(br)dss
场效应晶体管
肖特基 二极管
v
右
最大值 我
f
最大值v
f
典型值
g
d
s
n−channel 场效应晶体管
1
1
1
8
7
6
54
3
2
1
标记
图表
C2
m
C2 = 具体 设备 代码
m = 月份 代码
1
2
3
4
c
c
d
d
一个
一个
s
g
管脚
连接
NTHD4N02FT1G
ChipFET
(pb−free)
3000/胶带 &放大器; 卷轴
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
参考 至我们的 t猿 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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