半导体 组件 industries, llc, 2004
october, 2004 − rev. 4
1
发行 顺序 号码:
nthd4p02f/d
NTHD4P02F
电源 场效应晶体管 和
肖特基 二极管
−20 v, −3.0 一个, 单独的 p−channel 和
3.0 一个 肖特基 屏障 二极管, chipfet
特性
•
无铅 smd 包装 featuring 一个 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
•
40% 小 比 tsop−6 包装 和 类似的 热的
特性
•
独立 引脚 至 各自 设备 至 使容易 电路 设计
•
过激 低 v
F
肖特基
•
pb−free 包装 是 有
产品
•
li−ion 电池 charging
•
高 一侧 dc−dc 转换 电路
•
高 一侧 驱动 为 小 brushless 直流 发动机
•
电源 管理 在 可携带的, 电池 powered 产品
场效应晶体管 最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数 标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
−20 V
gate−to−source 电压 V
GS
±
12 V
持续的 流
电流
稳步的
T
J
= 25
°
C
I
D
−2.2
一个
电流
稳步的
状态
T
J
= 85
°
C −1.6
t
5 s T
J
= 25
°
C I
D
−3.0 一个
搏动 流
电流
t
p
= 10
s
I
DM
−9.0 一个
电源 消耗
稳步的
T
J
= 25
°
C
P
D
1.1
W
稳步的
状态
T
J
= 85
°
C 0.6
t
5 s T
J
= 25
°
C 2.1
持续的 源 电流 (身体 二极管) I
S
−2.1 一个
运行 接合面 和 存储
温度
T
J
, t
STG
−55 至 150
°
C
含铅的 温度 为 焊接 目的
(1/8
″
从 情况 为 10 s)
T
L
260
°
C
肖特基 二极管 最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 值 单位
顶峰 repetitive 反转 电压 V
RRM
20 V
直流 blocking 电压 V
R
20 V
平均 调整的
向前 电流
稳步的
状态
T
J
= 25
°
C
I
F
2.2 一个
t
5 s
T
J
=25 C
3.0 一个
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
C2 = 明确的 设备 代号
M = month 代号
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NTHD4P02FT1 ChipFET 3000/录音带 &放大; 卷轴
ChipFET
情况 1206a
样式 3
管脚
连接
标记
图解
C3
M
1
2
3
4
8
7
6
5
http://onsemi.com
G
D
p−channel 场效应晶体管
S
C
一个
肖特基 二极管
8
7
6
54
3
2
1
C
C
D
D
一个
一个
S
G
NTHD4P02FT1G ChipFET
(pb−free)
3000/录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
−20 v
20 v
200 m
@ −2.5 v
−130 m
@ −4.5 v
0.510 v
R
ds(在)
典型值
−3.0 一个
3.0 一个
I
D
最大值V
(br)dss
场效应晶体管
肖特基 二极管
V
R
最大值 I
F
最大值V
F
典型值
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