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资料编号:274318
 
资料名称:SI4818DY-T1
 
文件大小: 68.91K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4818DY
vishay siliconix
文档 号码: 71122
s-31062—rev. b, 26-将-03
www.vishay.com
1
双 n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
频道 1
0.022 @ v
GS
= 10 v 6.3
频道-1
30
0.030 @ v
GS
= 4.5 v 5.4
频道 2
30
0.0155 @ v
GS
= 10 v 9.5
频道-2
0.0205 @ v
GS
= 4.5 v 8.2
肖特基 产品 summary
V
DS
(v)
V
SD
(v)
二极管 向前 电压
I
F
(一个)
30 0.50 v @ 1.0 一个 2.0
S
1
D
1
G
1
D
2
S
2
D
2
G
2
D
2
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
G
2
S
2
G
1
S
1
D
1
D
2
D
2
D
2
n-频道 2
场效应晶体管
n-频道 1
场效应晶体管
肖特基 二极管
一个
订货 信息: Si4818DY
si4818dy-t1 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
c 除非 否则 指出)
频道-1 频道-2
参数 标识
10 secs 稳步的 状态 10 secs 稳步的 状态
单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
6.3 5.3 9.5 7.0
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
5.4 4.2 7.6 5.6
一个
搏动 流 电流 I
DM
30 40
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.3 0.9 2.2 1.15
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
1.4 1.0 2.4 1.25
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
0.9 0.64 1.5 0.80
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
频道-1 频道-2 肖特基
参数 标识
Typ 最大值 Typ 最大值 Typ 最大值
单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
72 90 43 53 48 60
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
R
thJA
100 125 82 100 80 100
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的-状态 R
thJC
51 63 25 30 28 35
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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