ds05-20879-2e
富士通 半导体
数据s他et
闪光灯 记忆
CMOS
16m (2m
×
8/1m
×
16) 有点
mbm29f160te/是
-55/-70/-90
■
概述 描述
这 mbm29f160te/是 是 一个 16m-有点, 5.0 v-仅 闪光灯 记忆 有组织的 作为 2m 字节数 的 8 比特 每个 或 1m 字词
的 16 比特 每个. 这 mbm29f160te/是 是 提供 入点 一个 48-管脚 tsop (我) package. 这 设备 是 设计 至 是
编程 在系统内 与 这 标准 系统 5.0 v v
抄送
供应. 12.0 v v
pp
是 不 必填项 用于 写 或 擦除
运营. 这 设备 可以 也 是 重新编程 入点 标准 非易失存储器 程序员.
这 标准 mbm29f160te/是 优惠 访问权限 次 的 55 ns, 70 ns 和 90 ns, 允许 操作 的 高速
微处理器 无 等待 国家. 至 消除 总线 争用 这 设备 有 分开 芯片 启用 (ce
), 写
启用 (我们
), 和 输出 启用 (oe) 控件.
这 mbm29f160te/是 是 管脚 和 命令 设置 兼容 与 电子元件工业联合会 标准 e?
2
proms. 命令 是
书面 至 这 命令 注册 使用 标准 微处理器 写 计时. 注册 内容 服务 作为 输入
至 一个 内部 状态机 哪个 控件 这 擦除 和 编程 电路. 写 循环次数 也 内部 门闩
地址 和 数据 需要 用于 这 编程 和 擦除 运营. 阅读 数据 出点 的 这 设备 是 类似
至 阅读 从 12.0 v 闪光灯 或 非易失存储器 设备.
(续)
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产品 线 向上
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pack一个ge?s
零件 否. mbm29f160te/160be
订购 零件 否.
v
抄送
= 5.0 v
±
5% -55 — —
v
抄送
= 5.0 v
±
10% — -70 -90
最大值 地址 访问权限 时间 (ns) 55 70 90
最大值 ce
访问权限 时间 (ns) 55 70 90
最大值 oe
访问权限 时间 (ns) 30 30 40
48-管脚 塑料 tsop (我)
标记 侧面
标记 侧面
(fpt-48p-m19)
(fpt-48p-m20)
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