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mmbr571lt1 mrf571 mrf5711lt1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 线
npn 硅
高频 晶体管
设计 用于 低 噪声, 宽 动态 范围 front–end 放大器 和
low–noise vco’s. 可用 入点 一个 surface–mountable 塑料 软件包. 这个
摩托罗拉 系列 的 small–signal 塑料 晶体管 优惠 上级 质量 和
业绩 在 低 成本.
•
高 gain–bandwidth 产品
f
t
= 8.0 ghz (典型值) @ 50 ma
•
低 噪声 图
nf
最小
= 1.6 db (典型值) @ f = 1.0 ghz (mrf5711lt1, mrf571)
•
高 增益
g
nf
= 17 db (典型值) @ 30 ma/500 mhz (mmbr571lt1)
•
高 电源 增益
g
pe (匹配)
= 13.5 db (典型值) (mrf5711lt1)
•
state–of–the–art 技术
好 线 几何图形
ion–implanted arsenic 发射器
黄金 顶部 金属化 和 电线
硅 渗氮 钝化
•
可用 入点 胶带 和 卷轴 包装 选项:
t1 后缀 = 3,000 单位 按 卷轴
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
10 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
20 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
3.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
80 ma
合计 设备 耗散 @ t
案例
= 75
°
c
mmbr571lt1, mrf5711lt1
降额 线性 以上 t
案例
= 75
°
c @
p
d(最大值)
0.33
4.44
w
mw/
°
c
合计 设备 耗散 (1) @ t
c
= 75
°
c
降额 以上 75
°
c MRF571
p
d
0.58
7.73
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 温度 t
stg
–55 至
+150
°
c
热 特性
评级 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例
mrf5711lt1, mmbr571lt1
右
θ
jc
225
°
c/w
热 电阻, 接合点 至 案例 MRF571 右
θ
jc
130
°
c/w
最大值 接合点 温度 t
jmax
150
°
c
设备 标记
mmbr571lt1 = 7x mrf5711lt1 = 02
备注:
1. 案例 温度 已测量 开启 收集器 铅 立即 相邻 至 车身 的 包装.
订单 这个 文件
由 mmbr571lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MMBR571LT1
MRF571
MRF5711LT1
我
c
= 80 ma
低 噪声
高频
晶体管
案例 318–08, 风格 6
SOT–23
低 配置文件
MMBR571LT1
案例 318a–05, 风格 1
SOT–143
低 配置文件
MRF5711LT1
案例 317–01, 风格 2
MACRO–X
MRF571
摩托罗拉, 公司 1997
rev 8
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