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MRF5811LT1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 线
npn 硅
高频 晶体管
设计 用于 高 电流, 低 电源 放大器 向上 至 1.0 ghz.
•
低 噪声 (2.0 db @ 500 mhz)
•
低 互调 失真
•
高 增益
•
state–of–the–art 技术
好 线 几何图形
arsenic 发射器
黄金 顶部 金属化
nichrome thin–film ballasting 电阻
•
优秀 动态 范围
•
完全 表征
•
高 current–gain 带宽 产品
•
可用 入点 胶带 和 卷轴 由 添加 t1 后缀 至 零件 号码.
t1 后缀 = 3,000 单位 按 8 mm, 7 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
18 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
36 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
2.5 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
200 mAdc
热 电阻
θ
jc (1) 右
θ
jc
106
°
c/w
合计 设备 耗散 @ t
c
= 75
°
c
降额 以上 t
c
= 75
°
c
p
d
0.71
9.4
瓦特
mw/
°
c
存储 接合点 温度 范围 t
stg
– 55 至 +150
°
c
最大值 接合点 温度 t
jmax
150
°
c
设备 标记
mrf5811l = 20
备注:
1. 案例 温度 已测量 开启 收集器 铅 立即 相邻 至 车身 的 包装.
订单 这个 文件
由 mrf5811lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF5811LT1
我
c
= 200 ma
低 噪声
高频
晶体管
npn 硅
案例 318a–05, 风格 1
摩托罗拉, 公司 1995
rev 1
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