HEXFET
®
电源 场效应晶体管
描述
08/09/01
www.irf.com 1
IRF7350
所以-8
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
JL
接合点-至-排水管 铅 ––– 20
右
θ
ja
交叉点到环境
–––
62.5
°
c/w
热 电阻
n-ch p-ch
v
DSS
100V -100v
右
ds(开启)
0.21
Ω
0.48
Ω
D1
n通道 场效应晶体管
p沟道 场效应晶体管
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶部 查看
8
1
2
3
4
5
6
7
这些 双 n 和 p 频道 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快 开关
速度 和 加固 设备 设计 那 hexfet
®
电源 mosfets 是
井 已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠
设备 用于 使用 入点 直流 电机 驱动器 和 荷载 管理 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制 引线框架 用于 增强型
热 特性 和 多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种
的 电源 应用程序. 与 这些 改进, 多个 设备 可以 是
已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地 减少 板 空间. 这 包装
是 设计 用于 蒸气 相位, infra 红色, 或 波浪 焊接 技术.
超 低 导通电阻
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 和 卷轴
参数
单位
一个
绝对 最大值 额定值
最大值
n通道 p沟道
v
ds
漏源 电压 100 -100
我
d
@ t
一个
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 2.1 -1.5
我
d
@ t
一个
= 70
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 1.7 -1.2
我
dm
脉冲 排水管 电流
8.4 -6.0
p
d
@T
一个
= 25
°
c 电源 耗散 2.0 w
线性 降额 因素 0.016 w/
°
c
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
35 51 mJ
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 ± 20 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
4.0 4.3 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围
-55 至 + 150
°
c
pd - 94226b
: 点此下载
