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资料编号:318385
 
资料名称:IRF840AS
 
文件大小: 129.41K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.85ohm, Id=8.0A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
12/16/99
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
开关 模式 电源 供应 (smps)
不间断 电源 供应
高 速度 电源 开关
好处
应用程序
低 闸门 费用 qg 结果 入点 简单
驱动器 要求
改进 闸门, 雪崩 和 动态
设计验证/dt 坚固耐用
完全 表征 电容 和
雪崩 电压 和 电流
有效 coss 指定 (请参见 一个 1001)
v
DSS
ds(开启)
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
8.0
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
5.1 一个
dm
脉冲 排水管 电流

32
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 125 w
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 3.1
线性 降额 因素 1.0 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 30 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt

5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 150
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
备注

通过
是 开启 第页 10
典型 smps 拓扑

两个 晶体管 前进

haft 桥梁

已满 桥梁
IRF840AS
IRF840AL
d
2
Pak
IRF840AS
至-262
IRF840AL
pd- 91901b
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