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mrf9045mr1 mrf9045mbr1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线
n–channel enhancement–mode 横向 mosfets
设计用于 宽带 商业 和 工业 应用程序 与 频率-
cies 向上至 1.0 ghz. 这 高 增益 和 宽带 业绩 的 这些 设备
制造 他们 理想 用于 large–signal, common–source 放大器 应用程序 入点
28 电压 底座 车站 设备.
•
典型 业绩 在 945 mhz, 28 伏特
输出 电源 — 45 瓦特 pep
电源 增益 — 19 db
效率 — 41% (两个 音调)
imd — –31 dbc
•
综合 esd 保护
•
保证 坚固耐用 @ 荷载 vswr = 5:1, @ 28 vdc, 945 mhz,
45 瓦特 cw 输出 电源
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 large–signal 阻抗 参数
•
dual–lead boltdown 塑料 包装 可以 也 是 已使用 作为 表面
安装.
•
to–272 可用 入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 44 mm,
13 英寸 卷轴.
•
to–270 可用 入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 24 mm,
13 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 v
gs
+15, –0.5 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
177
1.18
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
175
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
0.85
°
c/w
esd 保护 特性
测试一下 条件 类
人类 车身 型号 1 (最小值)
机器 型号 m2 (最小值)
水分 灵敏度 水平
测试一下 方法论 评级
按 jesd 22–a113 3
备注 –
注意事项
– mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf9045mr1/d
半导体 技术类 数据
945 mhz, 45 w, 28 v
横向 n–channel
宽带
rf 电源 mosfets
案例 1265–08, 风格 1
TO–270
塑料
MRF9045MR1
案例 1337–03, 风格 1
to–272 双 铅
塑料
MRF9045MBR1
摩托罗拉, 公司 2003
rev 6
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飞思卡尔 半导体, 公司
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