IRF9910_集成电路资料查询网

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04/28/04
IRF9910
HEXFET


电源 场效应晶体管
备注
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
通过

是 开启 第页 10
所以-8
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好处
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很 低 右
ds(开启)
在 4.5v v
gs
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低 闸门 费用
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完全 表征 雪崩 电压
和 电流
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20v v
gs
最大值 闸门 评级
应用程序

双 所以-8 场效应晶体管 用于 pol
转换器 入点 台式机, 服务器,
图形 卡片, 游戏 consoles
和 机顶盒 框
绝对 最大值 额定值
参数 q1 最大值 q2 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 v
v
gs
栅极到源极 电压
我
d
@ t
一个
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
10 12
我
d
@ t
一个
= 70°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
8.3 9.9 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
c
83 98
p
d
@T
一个
= 25°c
电源 耗散 w
p
d
@T
一个
= 70°c
电源 耗散
线性 降额 因素 w/°c
t
j
操作 接合点 和 °C
t
stg
存储 温度 范围
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
JL
接合点-至-排水管 铅 ––– 20 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境
fg
––– 62.5
± 20
20
-55  至 + 150
2.0
0.016
1.3
6
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DSS
我
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20V Q1
13.4m
:
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gs
= 10v
10A
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9.3m
:
@V
gs
= 10v
12A
右
ds(开启)
最大值

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www.irf.com 1 04/28/04 IRF9910 HEXFET   电源场效应晶体管备注   通过  是开启第页 10 所以-8  好处  很低右 ds(开启) 在 4.5v v gs  低闸门费用  完全表征雪崩电压和电流  20v v gs 最大值闸门评级应用程序  双所以-8 场效应晶体管用于 pol 转换器入点台式机, 服务器, 图形卡片, 游戏 consoles 和机顶盒框绝对最大值额定值参数 q1 最大值 q2 最大值单位 v ds 漏源电压 v v gs 栅极到源极电压我 d @ t 一个 = 25°c 连续排水管电流, v gs @ 10v 10 12 我 d @ t 一个 = 70°c 连续排水管电流, v gs @ 10v 8.3 9.9 一个我 dm 脉冲排水管电流 c 83 98 p d @T 一个 = 25°c 电源耗散 w p d @T 一个 = 70°c 电源耗散线性降额因素 w/°c t j 操作接合点和 °C t stg 存储温度范围热电阻参数典型值最大值单位右 θ JL 接合点-至-排水管铅 ––– 20 °c/w 右 θ ja 交叉点到环境 fg ––– 62.5 ± 20 20 -55 至 + 150 2.0 0.016 1.3 6  *   6   *   '  '   '   '   v DSS 我 d 20V Q1 13.4m : @V gs = 10v 10A Q2 9.3m : @V gs = 10v 12A 右 ds(开启) 最大值

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