n通道
p沟道
漏源 电压 v
ds
30
栅极-源极 电压 v
gs
± 20
t
一个
= 25°c 3.5 -2.3
t
一个
= 70°c 2.8 -1.8
脉冲 排水管 电流 我
dm
16 -10
连续 来源 电流 (二极管 传导) 我
s
1.7 -1.3
t
一个
= 25°c 2.0
t
一个
= 70°c 1.3
单独 脉冲 雪崩 能源 e?
作为
44 57 mJ
雪崩 电流 我
ar
2.0 -1.3 一个
重复性 雪崩 能源 e?
ar
0.25 mJ
峰值 二极管 回收 设计验证/dt
设计验证/dt 5.0 -5.0 v/ ns
接合点 和 存储 温度 范围 t
j,
t
stg
-55 至 + 150 °C
初步
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1561a
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个
效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用
入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性 和
多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 与 这些 改进, 多个
设备 可以 是 已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 用于
蒸气 相位, infra 红色, 或 波浪 焊接 技术.
8/25/97
所以-8
世代 v 技术
超 低 导通电阻
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
表面 安装
很 低 闸门 费用 和
开关 损失
完全 雪崩 额定
IRF9952
描述
热 电阻 额定值
参数 符号 限制 单位
最大值 交叉点到环境
右
θ
ja
62.5
°c/w
连续 排水管 电流
最大值 电源 耗散
一个
w
符号 最大值 单位
D1
n通道 场效应晶体管
p -频道 m OSFET
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
top view
8
1
2
3
4
5
6
7
n-ch p-ch
v
DSS
30V -30v
右
ds(开启)
0.10
Ω
0.25
Ω
推荐 升级: irf7309 或 irf7319
下部 配置文件/较小 等效: irf7509
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