july 2005
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2005 仙童 半导体 公司
fds4435bz rev b (w)
FDS4435BZ
30 volt p-频道 powertrench
®
场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 场效应晶体管 是 生产 使用 仙童
半导体’s 先进的 powertrench
®
处理 那
有 被 特别 tailored 至 降低 这 在-状态
阻抗.
这个 设备 是 好 suited 为 电源 管理 和
加载 切换 产品 一般 在 notebook
计算机 和 可携带的 电池 packs.
特性
•
–8.8 一个, –30 v. R
ds(在)
= 20 m
Ω
@ v
GS
= –10 v
R
ds(在)
= 35 m
Ω
@ v
GS
= – 4.5 v
•
扩展 v
GSS
范围 (–25v) 为 电池 产品
•
hbm 静电释放 保护 水平的 的 ±4.5 kv 典型 (便条 3)
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
•
末端 是 含铅的-自由 和 rohs 一致的
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
45
36
27
18
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –30 V
V
GSS
门-源 电压 ±25 V
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
–8.8I
D
– 搏动 –50
一个
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
2.5
(便条 1b)
1.2
P
D
(便条 1c)
1.0
W
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
50
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
25
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS4435BZ FDS4435BZ 13’’ 12mm 2500 单位
FDS4435BZ
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