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资料编号:328798
 
资料名称:FLL1200IU-2
 
文件大小: 92.23K
   
说明
 
介绍:
L-Band Medium & High Power GaAs FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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版本 1.7
12月 1999
fll1200iu-2
l-带宽 中等 &放大; 高 电源 gaas 场效应晶体管
描述
这 fll1200iu-2 是 一个 120 watt gaas 场效应晶体管 那 雇用 一个 推-拉 设计 那
提供 使容易 的 相一致, 更好 consistency 和 一个 broader 带宽 为 高
电源 l-带宽 放大器. 这个 产品 是 targeted 至 减少 这 大小 和
complexity 的 高级地 直线的, 高 电源 根基 station transmitting 放大器.
这个 新 产品 是 uniquely suited 为 使用 在 pcs/pcn 根基 station 放大器
作 它 提供 高 增益, 长 期 可靠性 和 使容易 的 使用.
fujitsu’s stringent 质量 assurance 程序 assures 这 最高的
可靠性 和 consistent 效能.
特性
推-拉 配置
高 电源 输出: 120w (典型值.)
• 高 pae: 44%.
• broad 频率 范围: 1800 至 2000 mhz.
• 合适的 为 类 ab 运作.
参数
流-源 电压
门-源 电压
总的 电源 消耗
存储 温度
频道 温度
标识
V
DS
tc = 25
°
C
V
V
W
°
C
°
C
V
GS
P
T
T
stg
T
ch
情况
187.5
-65 至 +175
+175
-5
15
比率 单位
绝对 最大 比率 (包围的 温度 ta=25
°
c)
fujitsu 推荐 这 下列的 情况 为 这 可依靠的 运作 的 gaas fets:
1. 这 流-源 运行 电压 (v
DS
) 应当 不 超过 12 伏特.
2. 这 向前 和 反转 门 电流 应当 不 超过 156.0 和 -57.6 毫安 各自 和
门 阻抗 的 10
.
3. 这 运行 频道 温度 (t
ch
) 应当 不 超过 145
°
c.
Item
流 电流
跨导
pinch-止 电压
门-源 损坏 电压
输出 电源
直线的 增益
电源-增加 效率
热的 阻抗
标识
I
DSS
V
GSO
-24
-
-4872
-1.0 -2.0 -3.5
-5 - -
49.8 50.8
-
10.0
11.0 -
-
44
-
-
0.6 0.8
V
DS
= 5v, v
GS
= 0v
V
DS
= 5v, i
DS
= 28.8a
V
DS
= 5v, i
DS
= 2.88a
I
GS
= -2.88ma
频道 至 情况
V
DS
= 12v
f=1.96 ghz
I
DS
= 5.0a
管脚 = 41.0dbm
一个
S
V
dB
dBm
V
°
c/w
%
gm
V
p
P
输出
GL
η
增加
流 电流
-
20
30
一个
I
DSR
R
th
情况 单位
限制
典型值
最大值.最小值.
电的 特性 (包围的 温度 ta=25
°
c)
情况 样式: iu
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