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HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
= 75v
右
ds(开启)
= 16m
Ω
我
d
= 42a
具体而言 设计 用于 汽车 应用程序,
这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 利用 这 最新
加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 附加 特点
的 这个 设计 是 一个 175°c 接合点 操作
温度, 快 开关 速度 和 改进
重复性 雪崩 评级 . 这些 特点 com-
bine 至 制造 这个 设计 一个 极其 高效 和
可靠 设备 用于 使用 入点 汽车 应用程序
和 一个 宽 品种 的 其他 应用程序.
s
d
g
描述
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
175°c 操作 温度
快 开关
重复性 雪崩 允许 向上 至 tjmax
特点
d-pak
IRFR2307Z
我-pak
IRFU2307Z
汽车 场效应晶体管
pd - 96910
IRFR2307Z
IRFU2307Z
绝对 最大值 额定值
参数 单位
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
(硅 有限)
我
d
@ t
c
= 100°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
一个
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
(包装 有限)
我
dm
脉冲 排水管 电流
p
d
@T
c
= 25°c
电源 耗散 w
线性 降额 因素 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 v
e?
作为 (热 有限)
单独 脉冲 雪崩 能源
d
mJ
e?
作为
(已测试 )
单独 脉冲 雪崩 能源 已测试 值
h
我
ar
雪崩 电流
Ã
一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
g
mJ
t
j
操作 接合点 和
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
j
––– 1.42
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)
ij
––– 40 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境
j
––– 110
-55 至 + 175
300 (1.6mm 从 案例 )
10 lbf
y
入点 (1.1n
y
m)
110
0.70
± 20
最大值
53
38
210
42
140
100
请参见 无花果.12a, 12b, 15, 16
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