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资料编号:342317
 
资料名称:IRG4PH50KD
 
文件大小: 224.72K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PH50KD
绝缘 闸门 双极性 晶体管 与
超快 软 回收 二极管
e?
g
n通道
c
v
消费电子展
= 1200v
v
ce(开启) 典型值
=
2.77v
@V
通用电气
= 15v, 我
c
= 24a
pd- 91575b
至-247ac
短 电路 额定
参数 最大值 单位
v
消费电子展
收集器-至-发射器 电压 1200 v
c
@ t
c
= 25°c 连续 收集器 电流 45
c
@ t
c
= 100°c 连续 收集器 电流 24
厘米
脉冲 收集器 电流
90 一个
LM
夹紧 归纳 荷载 电流
90
f
@ t
c
= 100°c 二极管 连续 前进 电流 16
调频
二极管 最大值 前进 电流 90
t
sc
短 电路 承受 时间 10 µs
v
通用电气
闸门-至-发射器 电压 ± 20 v
p
d
@ t
c
= 25°c 最大值 电源 耗散 200
p
d
@ t
c
= 100°c 最大值 电源 耗散 78
t
j
操作 接合点 和 -55 至 +150
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒. 300 (0.063 入点. (1.6mm) 从 案例)
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉. 10 lbf•in (1.1 n•m)
7/7/2000
参数 最小值 典型值 最大值 单位
θ
jc
连接至壳体 - igbt
––– –––
0.64
θ
jc
连接至壳体 - 二极管
––– –––
0.83
°
c/w
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面
–––
0.24
–––
θ
ja
接合点-至-环境, 典型 插座 安装
––– –––
40
重量 重量
–––
6 (0.21)
–––
g (盎司)
热 电阻
绝对 最大值 额定值
w
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特点
高 短 电路 评级 优化 用于 电机 控制,
t
sc
=10µs, v
抄送
= 720v , t
j
= 125
°
c,
v
通用电气
= 15v
联合收割机 低 传导 损失 与 高
开关 速度
更紧 参数 分布 和 较高 效率
比 上一个 世代
igbt 一氧化碳-已打包 与 hexfred
tm
超快,
ultrasoft 回收 反平行 二极管
最新 世代 4 igbt's 报价 最高 电源 密度
电机 控件 可能
HEXFRED
tm
二极管 优化 用于 业绩 与 igbts.
最小化 回收 特性 减少 噪声, emi 和
开关 损失
这个 零件 替换 这 irgph50kd2 和 irgph50md2
产品
用于 提示 请参见 设计 小费 97003
好处
www.irf.com 1
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