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文件 号码
4819
注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
UltraFET™ 是 一个 商标 的 intersil 公司. 1-888-intersil 或 321-724-7143
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版权
©
intersil 公司 2000
pentium® 是 一个 已注册 商标 的 英特尔 公司. amd® 是 一个 已注册 商标 的 高级 微型 设备, 公司
hip6601, hip6603
同步-整流 降压 场效应晶体管
驱动程序
这 hip6601 和 hip6603 是 高 频率, 双
场效应晶体管 驱动程序 特定 设计 至 驱动器 两个 电源
n通道 mosfets 入点 一个 同步-整流 降压
变频器 拓扑. 这些 驱动程序 合并 与 一个 hip630x
多相 降压 pwm 控制器 和 intersil ultrafets™
窗体 一个 完成 核心-电压 调节器 解决方案 用于
高级 微处理器.
这 HIP6601 驱动器 这 下部 闸门 入点 一个 同步-rectifier
桥梁 至 12v, 同时 这 上部 闸门 可以 是 独立
驱动 结束 一个 范围 从 5v 至 12v. 这 hip6603 驱动器
两者都有 上部 和 下部 盖茨 结束 一个 范围 的 5v 至 12v. 这个
驱动器-电压 fl 提供 这 优势 的 优化
应用程序 涉及 权衡 之间 开关 损失
和 传导 损失.
这 输出 驱动程序 入点 这 hip6601 和 hip6603 有 这
容量 至 efficiently 开关 电源 MOSFETs 在 频率
向上 至 2mhz. 每个 驾驶员 是 有能力 的 驾驶 一个 3000pF 荷载
与 一个 30ns 传播 延迟 和 50ns 过渡 时间. 两者都有
产品 实施 引导 开启 这 上部 闸门 与
仅 一个 外部 电容器 必填项. 这个 减少
实施 复杂性 和 允许 这 使用 的 较高
业绩, 成本 有效, n通道 mosfets. 自适应
射穿 保护 是 综合 至 防止 两者都有
mosfets 从 传导 同时.
特点
• 驱动器 两个 n通道 mosfets
• 自适应 射穿 保护
• 内部 引导程序 设备
• 支架 高 开关 频率
- 快 输出 上升 时间
- 传播 延迟 30ns
• 小 8 铅 soic 包装
• 双 栅极驱动 电压 用于 最优 Ef
• 三态 输入 用于 桥梁 停机
• 供应 下 电压 保护
应用程序
• 核心 电压 供应品 用于 英特尔 pentium® 三, amd®
athlon™ 微处理器
• 高 频率 低 profile 直流-直流 转换器
• 高 电流 低 电压 直流-直流 转换器
引出线
hip6601cb/hip6603cb
(soic)
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块 图表
订购 信息
零件 号码
温度 范围
(
o
c) 包装 pkg. 否.
HIP6601CB 0 至 85 8 ld soic m8.15
HIP6603CB 0 至 85 8 ld soic m8.15
UGATE
引导
pwm
地
1
2
3
4
8
7
6
5
相位
PVCC
VCC
lgate
PVCC
VCC
pwm
+5V
10K
10K
控制
逻辑
射击-
通过
保护
引导
UGATE
相位
lgate
地
†
vcc 用于 hip6601
†
pvcc 用于 hip6603
数据 工作表 january 2000
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